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同步降压为什么是双N MOS管呢?比如LM3150同步降压芯片

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

同步降压为什么是双N MOS管呢?通过仿真只有下侧的MOS管只有它本身的二极管在工作,那为什么要双N呢?有看到美信的同步降压芯片有用N和P结合的?请知道的帮忙扫盲,谢谢。

亲;不知亲是否看过两者的数据表,是不是同样电压电流下,P管的RDSON更大?

亲;究竟用PN还是双N都来自不同需要和场合,也与设计者的思想有关。简单的不管环境及参数的比较结果只有无果。

楼主,如果用PN,一般是上管用P管,下管用N管,这样驱动会好做一点。如果是双N管,上管需要悬浮驱动。你说的通过仿真发现下管只有体二极管在工作,你应该是没有给低侧MOS加驱动信号吧?同步降压是说在上管和下管的死区时间过后,下管是利用MOS管来续流,电流从低侧N管的源极向漏极流。N管的通态电阻会比P管的小很多,使用同步降压是为了提高效率,那么为了进一步提高效率,通常是使用双N管的。

您好,  我现在最大的困惑就在您说的 “上管和下管的死区时间过后,下管是利用MOS管来续流,电流从低侧N管的源极向漏极流”,MOS管的电流怎么可以从源极向漏极流呢?请您仔细说说,谢谢。

楼主,对于N沟道的MOS来说,在门极电压加上去之后,它相当于一个左右对称的结构,一量VGS让MOS开通之后,那么NMOS内电流是可以双向流通的,既可以从D流向S也可以从S流向D。

明白了,十分感谢你,我一直以为下管续流的时候是题二极管工作呢,现在明白怎么回事了,再次感谢。

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