UCC27322的AGND与PGND的处理

请问UCC27322的AGND与PGND是否需要连在一起？实际电路中连在一起是否会有问题？TI的例程中，好像两个是分开的，没有连在一起，但是手册中怎么建议相连呢？我在实际电路中遇到了此问题，这个片子老是会烧，请各位大侠帮忙回答下哦，谢谢

可以连在一起，我觉得片子烧跟这个脚的关系倒是不是很大，你需要先找到烧坏驱动芯片的原因。

我的功率是5kw，我看你们TI 300W以上就没有再连在一起了，这个功率等级的，连在一起也不用有影响嘛？

可以问一下，你的担心是什么吗？是怕功率地对控制地产生干扰吗？

是的，担心功率地那边对控制地造成影响，现在芯片坏的现象是电源对地短路，但是MOS没有问题。我的做法参照TI的方式，功率地与控制地分开，并没有相连，所以我担心若是我将两个地连在一起，是否会影响更大？

开关管驱动电压是否有震荡造成电压过高，有没有靠近芯片放一个解耦电容。

我在电源对AGND放了一个，但是电源对PGND没有放置，我看TI3000W的也只在电源对AGND的放了一个，我也打算在电源与PGND之间放，但是这样相当于将电源与功率部分也进行了耦合，

当然我监控过其在运行中的电源波动，应该不至于，手册是推荐在VDD与PGND之间加个电容，但是你们样例中也是没在这个地方加的，我没加的原因在上面说了

您好，您的变换器工作过程中驱动波形没有电压尖峰吗？您监控时电压测得多大。我以前倒是没遇到驱动芯片烧坏的情况，最多就是芯片有些温度，鉴于您用的2系列的产品，应该不是过温了。

芯片供电电压波动是mv级的，最大也就100mV这样，我的供电电压是12.85V，

谢谢，驱动波形当时只是看了下，至于尖峰电压可能当时没有关注到，我再看下，是不是这个原因引起的，若是这个原因的话，那我是否就得再VDD与PGND之间加个电容呢？还是增大VDD与AGND之间的容值？

你先看看是不是这个原因吧，我觉得在mos GS两端接一个15V的TVS管会有些作用，可以通过增大驱动电阻来减小dv/dt(可能会增大开关损耗），你先找到原因吧，记得反馈下试验情况，谢谢。

好的，我用您的方法今天试试，图为两个芯片的驱动波形，后一个波形是没有坏的驱动芯片输出的，前一个是经常坏的那个芯片输出的，我觉得区别不是太大。这里有一点不是太明白，我供电电压大概为12.9V这样，但是我测出的驱动输出波形幅值又15V，这个不是太清楚是怎么回事，以前好像没遇到过这样的现象，可否帮忙解答下，谢谢

你好，是不是探头和示波器没有较零，因为你的低电平也有2.5V左右，减一下就对了。感觉你是交错并联吧，你单路开有没有好些，你可以也试着增大一点驱动电阻看看，会不会好一些。

你好：

AGND与PGND在PCB上单点连接，连接点尽量在芯片的底部位置，保证连接点阻抗尽可能低。

您好，问题已经解决，在VDD与PGND之间加了一个电容，效果好多了，现在芯片已经不坏了，但是看驱动波形，感觉还有点小的尖峰，不过我不确定是不是从探头引入的干扰，要是量产的话，可以按您说的，在那加一个TVS钳位。至于增加驱动电阻，可能会影响效率吧？

您好，问题已经解决，在VDD与PGND之间加了一个电容，效果好多了，现在芯片已经不坏了，但是看驱动波形，感觉还有点小的尖峰，不过我不确定是不是从探头引入的干扰，要是量产的话，可以按您说的，在那加一个TVS钳位。至于增加驱动电阻，可能会影响效率吧？

您好，我对这两个地可以连在一起一直不太明白，一个是功率侧的地，一个是控制侧的地，若是直接相连，那么功率侧的干扰可能会耦合到控制侧来，要是做大功率，如7-8kw这样，会不会有问题？我现在的做法还是不将他们相连，我看你们TI的再大功率的做法也是如此。可否帮忙解释下，谢谢

你好，在不隔离电源中，功率地和信号地的直流电位是相同的，所以可以连接在一起，但是必须只在一点处连接，通常会选择控制芯片的GND或者输出电容接地的管脚附近。这样做可以避免功率电流通过信号地回流（因为单点连接，功率电流通过信号地无法回流至输入端功率地），这样信号地中不会有功率电流，也就能够减少干扰。

在隔离电源中，两个地是有可能不接的。

如果不连的话会有什么问题嘛？我在实际应用中没有相连，不过用着也看不出问题，另外你们的样例应用中也没有连啊？这个片子要求AGND与PGND相连，我可否理解为，实际其VDD的供电时来自同一个，并不是隔离的，那么实际驱动侧的供电需要有一个比较小的回流路径，那么实际是为驱动输出侧提供了一个阻抗很小的回流路径，不知是不是这个意思，谢谢

补充下，当然这个是通过PGND回流至输入端功率地的，不会通过AGND那边进入控制端，不知这样理解对不对？

补充下，当然会从PGND回流至输入端功率地，不会从AGND进入控制测，不知这样理解对不对，谢谢

VDD与GND之间需要加解耦电容来提供瞬间的驱动电流，之前看错了以为您加了，原来您不是在PGND处加的，不好意思(PGND端电容一般比AGND端要大）。

此处的电压尖峰应该不是探头引入的，我以前做实验也遇到过（差分探头测量）这是ds电压变化影响GS电压的情况。

TVS 我以前在学校经常加一个，加的原因主要是怕GS电压太高损坏MOS，直接并联在MOSFET 的GS两端，如果您的驱动电压尖峰开关管可以承受不加也是可以的。

增加驱动电阻会增加变换器的开关损耗，从而影响效率。好处是可以减小Vds电压尖峰，EMI也会好些。（看你需求是什么，case by case)，这里您的问题如果解决了，也可以不做调整，后期如果有问题，再考虑。

你好：

隔离的含义是指电路两边不存在电气上的连接，但可能存在磁耦合（变压器）或者光耦合（光耦），所以这个芯片本身肯定是不隔离的。在非隔离电源中，AGND和PGND之间的直流电位是一样的，不管是通过0欧电阻还是短路连接，如果在驱动芯片上没有连接，在其他位置也会有连接。

正如你所说，驱动输出的峰值电流很大，为了给驱动输出提供较小的低阻抗电流回路，在VDD与PGND之间需要跨接一个电容，以补充驱动瞬间的电流。