求助，TPS40210升压问题
我司一个产品用到TPS40210升压时遇到问题，请大神指教，
设计要求：1、input 24V，output 180V,500mA;
原理图和PCB见附件，
在调试时，遇到以下现象：
1、按照原理图参数焊接时，输入24V，
输出空载时，电压只有30V，
调试各参数，输出电压均不能提高；
2、断开pin2 SS脚，输出空载时，输出电压有176V，此时输入电流180mA;
3、此时，如果给输出加500mA的负载，输出电压会迅速降低到60V，输入电流快速上升，直至到5A.
是什么原因呢？请指教。
PIN 2脚不需要加电阻,只加电容用于软启即可, 270nF的电容实现13ms的软启，180v@0.5A的时电感平均的电流IL=Iout/(1-D)=4.54A,再加上纹波电流就达到5.2A,建议换成6A左右的电感.
感谢Curly Li的回复：
PIN2的10K电阻已经用0 ohm了，
如果用270nF，输出电源几乎没有提升，该电容越小，输出电压越高，
完全断开pin2，输出电压能达到176V，能达到要求。
1、请问是什么原因呢？
2、带负载能力不行是电感的功率小了吗？
带上负载时，电感不怎么发热，MOS管RF740发热很严重，已经烧了两个了，现在加了一个很大的散热片。
3、电感用220uH是不是太大了？能听到哒哒的响声。
4、pin1的频率为73.2K，是否带负载，没有变化；
5、pin9的电压是8V，正常吗？
6、烧了两个MOS管后，再换一个，pin8几乎是高电平，看看PWM，占空比大于99%，导致一上电就是大电流
换了一个TPS40210还不行，不知道是什么原因？
请大神继续赐教，不胜感激。
补充两点疑问：
1、为什么输出空载的时候，输入电流还有180mA?
2、我的PCB layout有问题吗？功率地和信号地已经是单点连接的。
PIN9电压为8V是正常的,MOSFET管的内阻为0.54?,导致MOS的导通损耗就接近5W多，算上开关损耗就更大，很容易烧MOS, 建议换成
BSC600N25N(250v@60m?)或类似的MOSFET，另外附上一个利用WEBENCH产生的TPS40210的参考设计,先按照参考设计把电感和MOSFET选好.
好的，非常感谢Curly Li ，
我再去call一些符合要求的低阻MOS管和电感来测试。
我们的负载是一个4～15uF的压电电容，按照软件控制不停开关，开启时间小于200uS,
请问：
开启瞬间，输出电压掉电会到多少V？
多长时间能充满？
如果充电时间长了，可能会使我们的设备误动作。
Hi
输出180V/0.5A，需要额外的增加芯片的驱动能力，TI有提供一个20~30V输入，100V/0.3A的方案，你可以参考：
http://www.ti.com.cn/tool/cn/pmp8913
建议你这个设计的基础上调试，重新计算电感的大小(特别是饱和电流), 频率可以降低，输入输出电容都是要增加的，以及调整反馈。
TI提供的20~30V输入，100V/0.3A的方案好像有点复杂，
按照我原来的线路，
把电感改为330uH, 10A,DCR<40m ohm，
MOS管改为STP50NF25，DCR:69m ohm，
R3改为4M;
R8改为10m ohm
C6不焊接，R7还是0 ohm，
现在带200mA的负载可以正常工作，MOS管也不发烫，
只是不明白为什么软启动不能接，接上电压就降低，电容越小，电压降低也越少，
接到270nF完全不升压，用1nF可以升到100V左右，断开可以升到176V。
Hi
区别只是多了一个驱动器芯片，原因是你的输出达到90W.
造成不能接软启动电容的原因应该是layout。
Hi
软启动影响带载能力，你可以参考这个case：
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/49631.aspx
虽然这个TPS40200是降压芯片，而TPS40210是升压的，但是现象类似，不排除是layout造成的，建议你确认。
非常感谢tao smith的及时回复，
我把原理图和PCB重新传上来，能不能帮忙看一下，pcblayout哪里有问题，
下一版好解决这些问题。
我们这个电路的功能是给一个4～15uF的电容充电，一秒约开关20次；
之前考虑180V，500mA的留了较大的冗余，实际上200mA也应该够用了。
现在电流检测的电阻是用了10 mohm，
如果直接用0 ohm则不能启动，一上电，输入电流就达到5A，
这个电阻也影响带负载的能力，电阻越小，带负载能力越强；
C4,R4,C5补偿网络，对负载能力也有影响，这个怎么算呢？
谢谢。
Hi
如果是200mA, 可以参考上述工程师提供的WEBENCH仿真电路的参数（ 补偿的算法datasheet上有，算法比较麻烦）。
关于layout可以参考TI EVM板：http://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/sluu308/sluu308.pdf 第十五页。
Hi
关于电路设计，可以参考上面工程师提供的180/200mA的wenench仿真电路， 补偿电路设计计算在datasheet中有：http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/tps40210.pdf
关于layout, 可以参考EVM板： http://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/sluu308/sluu308.pdf 第十五页。
好的，非常感谢。
再次请教：
此电路在工作时，能听到一个很明显的噪音，大约在3～5KHz，
尝试更改震荡频率，从30KHz～1MHz，噪音一直都存在：
1、这是否正常，对电路是否有影响？
2、有没有办法消除这个噪声？
3、如果接上补偿网络，空载输入电流是200mA，
断开补偿网络，空载输入电流是50mA，
那补偿网络是否可以不接？
谢谢。