为什么buck拓朴Vin高效率低？

网友solo777在21ic 电源技术 论坛问以下问题:

http://bbs.21ic.com/icview-606331-1-1.html

Hi

   MP2307不是TI的芯片，但是我们可以讨论一下降压芯片的效率问题，同样以同步降压为案例，见附件.

   附件中列举了TPS54620  12V转3.3V，和5V的效率计算，从计算中可以看到，两者主要的功耗差异在于MOS，因为在同样输出电流的情况下，电感的功耗基本上是一样的，而对于除了MOS，电感之外的其他功耗，也都是一样的，你可以参考。

建议你可以先学习一下MOS效率的计算。MOS管损耗主要分为三部分：导通损耗、开关损耗和结电容充放电损耗。同样电流的情况下电压大的时候开光损耗会更大，所以效率更低，只管的感受就是摸起来更热啦。

希望对你有所帮助。

VIN高的时候，BUCK电路的SW点需要从0伏摆动到VIN，如果VIN越高，miller平台时间越长，造成的开关损耗也就越大。

不过定量分析还是要仔细考虑开关损耗，导通损耗，电感磁心损耗等的变化。