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求MOS管参数解释

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

在MOS管参数中,有Td(on),T(rise),Td(off),T(fall),这些参数有什么用,以及他们的测试条件。还有二极管的反向恢复时间。在同步降压电路中,应该如何选择这些值。

这是MOSFET开关特性描述参数。这类数据;每个公司的测试条件不同;建议数据表里说明。

至于二极管反向恢复时间测量;目前没有统一标准,数据表里的值多不能直接用。建议多关注MOSFET在85C下的反向恢复特性。对于这个参数选择;需以工作频率和效率要求而定。你大体是咋样的工况?

我18V输入,1.1V输出,效率希望在95%以上,300K或者500K的工作频率。求回复

你可以结合你的电流规格以及你上面提到电压的规格考虑D、S的耐压Vds和continuous drain current的电流Id及他们的降额,再初步地选择一个Qg和Rdson,按照以下文档初步地计算出电路的损耗,迭代验证使之满足损耗小于5%的要求。

损耗计算文档- www.ti.com/.../slpa009a.pdf

请确认你的规格书,18V输入,1.1输出,300k以上的频率,效率95%以上。个人觉得很有难度

95%1.1V出多少电流?

As to the MOSFET parameters, may this paper will help you.

"Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits"

 

Td(on)为开通延迟时间,T(rise)为上升时间,Td(off)为关断延迟时间,T(fall)为下降时间。这些具体的参数的意义及作用,可以在电力电子的教科书中查到。比如王兆安的 电力电子技术中第一章的电力场效应晶体管的。

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