MOS管损耗

导通关断过程的损耗是开关损耗，除此之外开通时导通电阻流过电流产生的导通损耗（I2R）也占了很大的比重

开关器件的损耗主要分开关损耗及导通损耗，开关损耗如你所说，主要是MOS管开通关断过程中由于MOS管两端电压变化与流过MOS管的电流变化交叉产生的损耗，而MOS管开通后，由于MOS管具有导通内阻，因此电流流过导通内阻会产生导通损耗。采用软开关技术可以降低开关损耗，采用低内阻的MOS管可以降低导通损耗。在导通损耗与开关损耗之外别的损耗基本可以忽略。

不同拓扑的损耗有很大差异。有些只是开关和通态损耗；有些损耗还和弥勒效应有关；有些还和寄生二极管有关。有时；这些被遗忘的损耗会达到总损耗的70％以上。因此；原则上是一事一议。

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