UCC27324的Output resistance high有30欧姆，损耗大？

给窄脉冲驱动的时候是不是驱动电压跌落特别严重？损耗是不是很大？

因为项目中需要能给出10%的占空比，不是很清楚能不能正常给出12V驱动

30欧姆的高输出阻抗只在于当UCC27324驱动输出高电平时，给MOS G极充电，30欧姆可作为一个限流效果，而这个时间(驱动上升沿)的时间是很短暂的，功耗不会很大，也不会出现严重的电压跌落，高电平输出与VDD差异只有0.3V左右。

关于芯片功耗的计算见datasheet第十一页：www.ti.com.cn/.../ucc27324.pdf

你好！谢谢你的回答。

我还有些困惑，因为我的占空比很小，100kHz 8%，8us左右，用PSPICE仿真的时候用的是Intersil提供的模型，改了一下里面PMOS的Rdson为30，仿真的电压跌落很严重。

你说到30欧姆可以作为限流效果，那我MOSFET的十几欧姆的栅极电阻是不是可以不用接了？

你好！谢谢你的回答。

我还有些困惑，因为我的占空比很小，100kHz 8%，8us左右，用PSPICE仿真的时候用的是Intersil提供的模型，改了一下里面PMOS的Rdson为30，仿真的电压跌落很严重。

你说到30欧姆可以作为限流效果，那我MOSFET的十几欧姆的栅极电阻是不是可以不用接了？

上臂MOS的Rdson是30ohm, 这个作用时间只是在UCC27324drive输出为高时给晶体管(MOS)充电，一旦到达饱和，实际上处在Duty On的时候虽然MOS处于导通，并无电流流过MOS, 而我们谈到的压降就是这个时候的，所以这个压降是非常小的。见datasheet参数说明：The output resistance is the RDS(ON) of  the MOSFET  transistor  when  the

voltage on the driver output is less than the saturation voltage of the bipolar transistor.

所以这个Rdson定义的实际上是在充电过程中芯片内PMOS的导通阻抗，而在仿真中PMOS的Rdson实际定义可能是常见的MOS 栅极电压高出Vth时的导通电阻，这个电阻是非常小的，一般毫欧级别，在您的这个仿真中采用的Rdson应该是后者。

在实际的设计中，有的时候也是可以不用增加外部栅极电阻的，见如下设计：www.ti.com/.../slur739.  要实际考虑。

你在仿真的时候，驱动的是什么型号的MOS管，该MOS管的输入电阻是多大的？

2.4Ohms的栅极电阻，输入电容5.4nF，200V的英飞凌MOS

我刚看了一下PDF文档，可能你的理解是错误的，这个驱动IC的峰值电流是4A，要是有30欧姆的内阻，那供电电压其不是要达到120V才能达到这么高的峰值电流？你注意看一下30欧姆的是有测试条件的，不是在驱动的管子处于完全导通状态下。因此你将MOS管的内阻设置成30欧姆肯定是不对的。你将内阻设置成0.1欧姆仿真实验一下。

output resistance high 有30欧姆是正确的，但不会引起损耗大。这是因为，驱动部分是由BJT 与MOSFET 并联构成，主要的驱动电流由BJT提供，可以参见规格书首页的内部框图。

又看了一下示意图，有以下疑问请专家解答

1、为什么采用BJT跟MOS管并联？

2、这个输出阻抗30欧姆，到底代表的是什么意思？是MOS管的输出阻抗还是驱动部分整体的阻抗？前面Johnsin Tao提到“这个作用时间只是在UCC27324drive输出为高时给晶体管(MOS)充电，一旦到达饱和，实际上处在Duty On的时候虽然MOS处于导通，并无电流流过MOS”那么这个时候阻抗是多少？30还是远小于30？

1. 采用BJT与MOS管并联的主要作用是BJT在开通的时候提供大的驱动电流，MOS在关断时候提供低的栅极-源极阻抗，使得主开关管可靠关断，另外MOS的体二级管对主开关管栅极的undershoot/overshoot起箝位作用。

2.输出阻抗30欧姆是指在BJT没有进入饱和状态下，MOS管的导通电阻.

明白，谢谢！