-48V电源热插拔缓起MOSFET烧毁

Vin=-36V~-72V, Vee是-, BGND是+。R1=R2=1MΩ, R3=300KΩ，R5=100KΩ，C32=0.03uF, MOSFET选的是IRF3710, 负载电容C86=600uF，设备正常工作在-48V，负载功耗约200W(IL=4A).Q1是用来做缓起动的，Q2是为了防反接的。MOSFET是DDPAK封装，Ciss=2700pF，Crss=150pF，RDson=18mΩ，DS耐压100V，GS耐压20V。

问题描述：-50V上电发现电源连接器打火，认为缓起MOSFET没起作用，结果发现Q1的DS已经短路了，加工回来的新板子，第一次上电正常，后面因为MOSFET烧毁就打火了。

改进：将R1+R2改到300K，R3+R5=68K，发现在43V输入正常，不打火，正常启动，但在50V输入时Q1又烧毁了。

继续改进：R1+R2=68K，R3+R5=14K，72V输入正常，Q1没有烧毁，但是打火严重啊，啪啪的声音，电源连接头都看出来烧糊了。

请问电路设计有问题吗？怎样保证既不打火又不烧MOSFET管？MOSFET管为什么会烧呢？没有用TI的芯片会不会帮忙解答呢？

烧不烧MOS是看发热量的，

开通时间gs上升沿过缓，导致MOS的开通损耗异常大，

核算gs上升过程的MOS损耗，选择合适的MOS

gs的电压不是控制MOS管的电流吗，如果上升的特别慢，电流变化也特别小，小电流会慢慢的给负载电容充电，这样就缓慢打开了。我看TI的热插拔芯片也是这个原理，比如LM5067，只不过他有个PWR可以控制MOS的功率。我在网上看到了很多利用MOS的米勒平台来控制启动电流的，照这样说米勒平台也会大大加大MOS的开启损耗，别人为何还要这么用呢？

参考链接：

https://wenku.baidu.com/view/90881acfd5bbfd0a7956735f.html

你需要看一下你目前的MOS管启动电压及电流波形，是否在MOS管允许工作的SOA范围？

LM5067的芯片，可以控制MOS管在其SOA范围，以保护MOS管不会被烧坏。

MOS的手册SOA信息有限，不好估算，需要向厂家询问，很麻烦。由于上电就烧毁了，抓到的波形也没什么信息，就是gate上升一段时间变低了。后来改善了电路：

在G和D极之间并联一个负反馈米勒电容，再把gate脚的电容加大，防止上电瞬间MOS导通，真的好了，附上波形一张，与理论一样，米勒平台长达15ms。

黄色的G脚，蓝色D脚。

谢谢诸位的帮助！

╥﹏╥，高兴的太早，电压升到60V还是不行，接着烧MOS。放弃了！

亲；无恒心无以成大事。这点问题就放弃了？就SOA曲线而言；每个厂家地数据表里都有，查找计算都不是问题。

关于你的问题；还是安全工作区域不够及栅驱动设计错误，建议选200V级别PIN结构MOSFET。赶紧行动起来吧！

有SOA又有何用？这个MOSFET的烧毁时的功率都不知道，知道了功率如何折算成温升，这也很难，热阻很难估算。按照那些理论计算我的不可能烧毁啊，要么算错了。200V的PN结MOS没必要，我在DS之间加过一个80V的TVS，照样烧。图中DS的高压是因为插拔连接器抖动导致的振荡，我通过插上电源连接器，然后外面按一个开关就没有这么大的过压。附一张抓到烧毁时的图片，Vin=60V，过一段时间gate脚就掉下去了，说明已经挂掉了。之前驱动电阻2MΩ可能有问题，这次阻值不变把Cgd加大再试试：

诚谢你的回复，怎会放弃，工作较忙而已。

今天解决了60V启动的问题，说明确实是在密勒区MOS的功率超过SOA了，吧Cgd加大到0.1uF，其他电阻还是300K，44K，Cgs电容加大到2.3uF，方式上电瞬时导通，附图一张：

算了一下，平均功率约15W（I≈0.4A），在MOS的SOA曲线里，我自己也无法预测这个15W能抗多久，只知道肯定超过10ms：

换作你，怎么估算15W能不能抗70ms的时间？