关于 TIDA-00449 BQ76930的限流及短路保护问题

如上图（载自TIDA-00449 ），SRP和SRN为采样电流的两端压差， ISENSE1是传递到MCU的一个端口判断是否存在限流或者短路保护用的？；

现在的问题是：

1、TIDA-00449  例程只是验证BQ76930和MCU的通信，还有手动触发是否OK，对吗？ 因为通常BMS都有过充保护（假设4.20），过充释放（4.18V），过放保护2.8V（过放释放3.0V）

2、假设达到过充保护4.20V后，CHG直接为0V，那么CHG为12V是需要MCU去触发，而不是930可以根据SRP和SRN两端的压差去自动打开，对吗？否则电池组充满电保护后,CHG始终关闭，在同口模式下放电电流是过充电管续流二极管的，而且现阶段TIDA-00449 每次要充电时候，也是需要手动去打开CHG的。

3、是不是930只负责关断保护，不负责打开，所有的打开，都是需要MCU根据自己定义的逻辑去实现，我现在要做的充放电管理功能应具备：

1、过充保护电压、过充释放电压、过放保护电压、过放释放电压，限流保护&短路保护，限流保护&短路保护断开负载后自动释放。

现在的问题是：

1、TIDA-00449  例程只是验证BQ76930和MCU的通信，还有手动触发是否OK，对吗？ 因为通常BMS都有过充保护（假设4.20），过充释放（4.18V），过放保护2.8V（过放释放3.0V）

这些保护功能都应该在MCU的程序实现。

2、假设达到过充保护4.20V后，CHG直接为0V，那么CHG为12V是需要MCU去触发，而不是930可以根据SRP和SRN两端的压差去自动打开，对吗？否则电池组充满电保护后,CHG始终关闭，在同口模式下放电电流是过充电管续流二极管的，而且现阶段TIDA-00449 每次要充电时候，也是需要手动去打开CHG的。

是的，76930在触发它自己的OV/UV/OC/SC保护后，会关断相应MOS。76930不会主动打开MOS。所以打开MOS的动作都是要MCU通过I2C来实现。

3、是不是930只负责关断保护，不负责打开，所有的打开，都是需要MCU根据自己定义的逻辑去实现，我现在要做的充放电管理功能应具备：

是的，只负责关断保护，不负责打开。

1、过充保护电压、过充释放电压、过放保护电压、过放释放电压，限流保护&短路保护，限流保护&短路保护断开负载后自动释放。

zhang工，再帮我看下上面的电路，依然是TIDA-00449 上的，我认为右边是读电池包总压的，左边是读电流的，现在的问题是：

1、触发读取的MOS是不是画错了？ 我记得PMOS应该是导通时候S---->D的，MOS标示符的体内二极管方向和S和D的顺序貌似反了？

2、读总压的容易理解一点，Q18导通后，根据R65和R69分压，但是读电流的那个不太理解，能否详细讲讲原理？

另外，充电时候和放电时候，电流是有正负极的，那么在CC_HI(0X32)和CC_LO(0X33)的存储表示方法？ 简单的例子：充电10A 、放电10A两种状态，在寄存器里头应该如何分别读写？

1、触发读取的MOS是不是画错了？ 我记得PMOS应该是导通时候S---->D的，MOS标示符的体内二极管方向和S和D的顺序貌似反了？

MOS的symbol应该是画错了。

2、读总压的容易理解一点，Q18导通后，根据R65和R69分压，但是读电流的那个不太理解，能否详细讲讲原理？

 电流测量的电路有点类似加法器，可以理解成有两个电压源的分压电路。

另外，充电时候和放电时候，电流是有正负极的，那么在CC_HI(0X32)和CC_LO(0X33)的存储表示方法？ 简单的例子：充电10A 、放电10A两种状态，在寄存器里头应该如何分别读写？

可以参考datasheet 7.3.1.1.3 16-Bit CC，

The following equation shows how to convert the 16-bit CC reading into an analog voltage if no boardlevel
calibration is performed:
CC Reading (in μV) = [16-bit 2’s Complement Value] × (8.44 μV/LSB)