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BQ27541提交TI网址做阻抗高低温优化问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

请教下,我现在用BQ27541做了室温和低温(-40℃)的充放电试验,也记录了数据,但提交到GPC计算了,返回了如下错误信息,TI的技术或知道的同事帮忙解决一下,谢谢!

提交和返回的压缩包数据在附件,劳烦看一下。

错误信息如下:

Due to GG file format issues, GG values have not been updated        
        
        
Warning: Automatic firmware properties detection failed. Rb_select defaults to 2. Please make sure that chem ID loaded in the GG file is the same as ID specified in the config.txt        
Warning: Automatic firmware properties detection failed. basescale defaults to 1. Please make sure that chem ID loaded in the GG file is the same as ID specified in the config.txt        
Warning: dod0 too large in low. temp. file     dod0=0.228609336912586 usually caused by absense of relaxation    
Warning: dod0 too large in room. temp. file     dod0=0.147113281544099 usually caused by absense of relaxation   

提交的数据

返回的结果

config.txt里填的Chem ID与你gg文件的里Chem ID不同

一语点醒梦中人。非常感谢。原来是我的config.txt中出ChemID写成了chemID。字母大小写有误。更改后就正常输出了。

再追问一下:

邮件返回的chemdat12_******就是用来直接烧写chem的吗?

然后再烧写gg文件,这两个文件烧写了就出货了吗?

DFI文件需要怎么处理吗?

谢谢!

通过bqCONFIG/EVSW/Gauge studio相应界面下载CHEM_ID

注意板在做CHEM_ID前要先校准好,放电过程要连续,记录的数据包含放电完之后静置的那5小时,BQ27425/BA27421/441无需要这个步骤,只需要选择相应型号

4.循环学习和导出量产文件

A、确认已经设置好相关的参数以及进行校准和CHEM_ID选择才可以进行此步骤,发送命令0x41复位,导出DFI文件或者SENC文件备用

B、准备好一个放空的电芯(电压在3.0V-3.3V),静置5小时

C、连接板,发送0x0021命令使能IT算法,建议自动记录Data RAM数据(4s间隔)Data FLash数据(10分钟间隔)

D、按照正常充电过程将电池充饱,然后静置2小时,再按照0.2C电流进行放电到截止电压,再静置5小时,确保update status的数值为0x06

E、导出DataFlash的gg文件,用记事本打开修改Update Status为0x02,Cycle Count为0

F、导入之前备份的DFI或者senc文件,然后再写入修改后的gg文件

G、生成DFI,dffs文件

我用gpc返回的gg文件导入bqstudio后,write all时出现了错误。返回的gg文件没有做任何更改,直接import.

返回信息在附件,

错误信息是:Parameter value does not match type and data format:Gas Gauging.State.T Rise

请帮忙看一下,谢谢。

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