bq77905 MOS放在高端的情况

HI

如下，CHG_FET放在高边的驱动方式可行吗？放电接口是P+ P-，充电接口是C+ P-。帮忙分析下利弊，多谢！

这样是可以的， 不过 PMOS的GS的电阻在正常工作的时候耗电会比较大。也需要在GS两端加15V稳压管保护

可以看一下bq76200，用高变的NMOS驱动可以解决这个问题。