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bq77905 MOS放在高端的情况

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

HI

如下,CHG_FET放在高边的驱动方式可行吗?放电接口是P+ P-,充电接口是C+ P-。帮忙分析下利弊,多谢!

这样是可以的, 不过 PMOS的GS的电阻在正常工作的时候耗电会比较大。也需要在GS两端加15V稳压管保护

可以看一下bq76200,用高变的NMOS驱动可以解决这个问题。 

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