最近又出现了Pl900在欠压状态下和过压状态下，充电和放电保护不能完全关断的情况，不知道为什什么？

请教TI 的专家，最近Pl900在欠压状态下和过压状态下，充电和放电保护FET不能完全关断的情况，不知道为什么？

原来没有出现过

确认用的p-mosfet类型是否正确，是增强型还是耗尽型。

然后建议你检查一下s-g之间的电压 ，查看g极的电压是否在芯片的正常范围内，如果不在范围内，那么去检查电压异常的原因，是否相关的驱动元器件有损坏 。

thank you

使用的是SUM110P08-11L

是参考手册上面的MOSFET

在打开时GS间压降大概是15V

,关断时GS间电压差为3V,在关断时DSG电压应该和BAT电压一样吧，

关断时为何是3V？这个电压不对，PL900的手册中关断时的g-s电压是0.2V才对。这个是导致你出现关闭不彻底的原因。

查SUM110P08-11L的datasheet的转移特性曲线，25度室温时，3V的s-g电压能允许几百mA的电流流过。

现在需要做的就是逐一的排除导致FET驱动脚电压不能上升的原因，首先建议你将D6去掉，如果是和你的D2封装在一起的，那么建议你把这两个diode都去掉

你提到你改变了驱动电阻，但这个电阻只是对驱动时间有关系，因为现在的关键问题聚焦于驱动电压抬升不上去，那么可以先将一些保护的器件去掉 逐一排除，换句话来说，先看看是否简单的打开和关闭能否实现。

C10也拿掉 让外围的驱动电路越简单越好，这样方便暴露问题的所在。

thank you michael

在给你留言之前，已经将C10断开了，明天去试一下把D2和d6全部拿掉看看效果，

是什么样的。

之前有看到一款芯片，在关断p-mosfet时，芯片的mosfet驱动pin会从source级经过一个锗管将gate级充电到vsource -0.2V ，这样能够充分的保证P-MOSFET关闭。因此如果g-s电压不够小，那么要么是source给gate充电的线路上有其他的分压器件导致压降不仅仅是锗管的压降，要么就是实际的mosfet的gate端有钳制电路，比如稳压管。

thank you  michael

我去掉了两个二极管，发现没有效果，真是找不出来原因了

不知道为什么

头疼啊

感谢你的反馈，能否麻烦你把实际用的电路图截个图以.jpg文件格式附上来，如果有与实际电路实物有出入的地方，或实际元器件与电路图有不一样的地方，请你标识出来，谢谢!

thank you michael

我找到原因是我自己造成的，

真是耽误你的时间了

不客气，祝贺你顺利解决了这个问题，主要是你自己的努力，我只是给一些相关的信息和建议，希望能帮助你扩展到更多的分析思路和方向。

如果方便，能否请你分享一下如何找到root cause的故事?这样对其他刚用这款芯片的“后人”能够很好的参考作用。

不管是经验还是教训，对刚用这款芯片的朋友都是宝贵的资料！预先感谢你的分享！顺祝商祺！

改天要把总结的东西仔细的写一下，放在网上。 多谢大家的支持。