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DDR3模型验证初始化问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
挂了个micron厂家提供的DDR3模型进行仿真。
但是复位后的初始化时间很长。每次都要跑很久才能进入正常的仿真过程。
不知道是否有人通过修改DDR3的模型来减少这个初始化过程提高仿真效率的么?

That should be your code modification, shrink write level time, becasue flyby for DDR3. Skip this, will be nosense.

write leveling确实挺长的,可以不做。

修改模型里面的参数,初始化时有一个200us和500us的等待时间分别是reset拉高之前和cke拉高之前的时间,修改这两个值为500ns或者其他你能接受的值

替换一个底层的ddr ctrl phy,再把模型里面的integer改成两态的类型,所有初始化值就变为0;
初始化完成大概要40us,原来需要130多us

您好,您能说下,这两个信号的初始化值具体在哪个地方修改吗?我找了下但没找到,谢谢!我自己写的用户接口,但初始化过程一直完成不了!

您好,您能将过程说的详细些吗?谢谢!

小编解决问题了吗?我自己写的用户接口,仿真时,初始化信号init_calib_complete一直为低电平!

这个和ddr3 model没关系,要修改ddr3 controller的设置,一般都会有个宏来设置,是否做完整的calibration。如果是买的controller,那么问提供商;如果是工具生成的,那么仔细看手册,应该有说明的。

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