微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 无线和射频 > TI无线射频设计 > CC2530内部基准不稳

CC2530内部基准不稳

时间:12-22 整理:3721RD 点击:

TI工程师们,你们好!我最近用CC2530芯片做一个项目,用到了它的内部1.15V基准来采集外部模拟量,但是测试发现采集的值不正确,反过来推算内部基准,发现内部基准不稳定,由1.15--1.41V,是不是内部基准本身不稳,还是不能选用它?

手册18页有提到使用内部基准时,需要在外部加一个精确的RBIAS电阻,这个电阻在你的设计里是否精确?另外11页有提到内部reference电压会随VDD和温度变化,变化量在几个mV,这部分偏差是否有考虑?如内部基准不满足要求,可以考虑试试用外部基准。

非常感激您!可能我们没考虑到这个偏置电阻!另外,贵公司现有的ZigBee协议栈采用了P0_7来控制CC2591的高、低功耗,这刚好占用了唯一的可以作为外部基准的端口,请问该怎样使用外部基准!?

手册第13页有提到External reference的测试条件是“VDD is voltage on AVDD5 pin”,是不是说把VDD拉到AVDD5这个引脚即可实现外部基准?应该不需要额外配置吧

请问下您解决了那个技术问题嘛?

"VDD is voltage on AVDD5 pin" 只是测试条件。应该还需要设置寄存器来配置。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top