PID 控温请教

用单片机PWM控制半导体制冷片 对激光器进行控温，  使激光器的温度控制在23摄氏度，波动不要超过1.5摄氏度。
根据网上看到的资料选择增量式PID,
有两个不明白的地方
1：
increment=  KP*(error0-error1)
            + KI* error0
            + KD*(error0-2*error1+error2)
看到两个版本的代码，一个是直接用这个量控制PWM
control_out = increment;
另外一个版本是把 每次计算的increment 累加输出 控制PWM
control_out += increment
我个人觉得应该是第一个，但不明白原理
2：
  这个PID计算出来的输出量和 PWM的占空比怎么关联起来？
多谢指教

我怎么感觉是第二个，看给定是什么吧

百度了一下半导体制冷片的原理，制冷片吸热与放热与电流强度成正比，这样的话，应该是前者，考虑极端情况，温度恒定在23℃，不需要吸热也不需要放热，这样每次控制量都是0，而不是上一次的值。控制量应该是电流强度相关的值，比如PWM调制的占空比之类，这个应该不是线性的，而且PWM频率变化对电流值也有一定的影响。

都行，就是响应带宽不一样。

多谢你给我提供了一个思路，实际使用时只用半导体制冷片吸热，因为激光器一直在发热，考虑极端情况，温度恒定在了23°，此时PWM应该输出一个电流，使得TEC吸热量= 激光器发热量，所以我觉得应该是 后面累加的那个 不知道这样想对不对？

report说的有道理，两种都可能将温度稳定下来。前者相当于反馈控制，后者相当于前馈加反馈控制。后者的前馈量相当于抵消激光器发热那部分电流控制量，控制速度可能会更快，可以在代码里适当标定一些前馈量。

是啊。
有时候PI就够了，甚至P就行。不一定PID。

嗯，温度变化一般比较缓慢，可以不用D。Kp足够大的话，I也可以不用，不过最好留着，消除静差方便。

这种东西纯模拟做多好。

2.满量程映射，或者根据区间分段调整。

@report  你什么时候准备做CCD啊，真要做的话 我想参与 :)

正在做啊。
正在调试。

1。你贴的公式不全，难猜测。PID离散化结构有级联形式和非级联的，不知道你用的那种。
但是温度控制，温度变化不会很快，建议PI控制就行了。加个D调不好还容易振荡。
2。PID输出要归一化的。给PID的参考量也要归一化。比如说归一化之后再乘以PWN总周期就是输出宽度。