请教一个gate charge测量电路

大家好。
我想测MOSFET的栅电荷。附件是IR的note。
请解释下，方波信号从左侧输入的时候，高电平和低电平状态，1N414B左侧电路的工作原理是什么？
还有U1B应该选哪个型号？
非常感谢。

为啥要这么折腾？
用电容表测一下Ciss不就行了，Qc大致就等于Vgs * Ciss

需要测量Qg_Vgs曲线。

有否觉得，这个IR的文档中，414B是4148的笔误呢？

1# 左侧是脉冲关断；
2# MIC有大把，10￥搞定。

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我没看图，不过没准真有1N414B呢。。。

有个疑问，图中的HEXFET1应该是一个恒流源，但这个难道不应该用PMOS吗？
PMOS的S接VCC，只要控制Vg就可得到确定的Vgs，然后饱和电流Id=a(Vgs-Vth)^2才是定值
用图中的NMOS的话Vgs不是定值，会随着下面MOS管的情况变化。

这个没有吧？
有的话，你称一斤，咱俩下酒~

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