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关于MOSFET驱动变压器

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
为实现隔离并且不用提供额外的驱动电源,我想尝试采用驱动变压器的方式来驱动MOSFET,主电路拓扑为全桥,开关频率为数兆(应该不会大于5M)。但对于这类变压器的选择却毫无头绪,不知大家有何推荐没?多谢多谢~~

5M?
你的mosfet 5M时候能好好工作么?我很好奇啊

有这样的驱动方式,但是这么高频率,不过这么高频率。。。。

呃……其实预计也就两三兆左右啦……
貌似一些高速MOSFET还是能达到这个速度的吧?不过我也不清楚,毕竟东西还没做出来……

是啊,正因为频率太高了所以不敢随便找一个就上…… = =

lz电压多高?
5M的驱动电路不同于一般的驱动电路。建议不要自己做。
为此建议你选择不隔离的专用驱动模块。
例如DEIC420.

驱动电压10~15V,直流母线电压初定200~300V吧
DEIC420原本也考虑过,但这片子实在太难搞到了…… = =

高频变压器一般在几百k左右的频率,主流是200k,5M太高了,
铁损和集肤效应要考虑。。

有1M到100M的射频变压器,但那个一般是信号调理用的,
不知道mosfet栅极能驱动起来吗?

那是,开关电源用的变压器不一样。。

昨天在coilcraft看到了声称能到2M的驱动变压器,申个样品回头先试试看……
不过看了一下datasheet,这个系列的变压器自谐振频率也就在2~4M左右,有的还不到2M,这没问题么……?

驱动MOSFET(尤其是高速的时候)需要提供瞬时大电流,一般信号用的估计够呛啊……

母线电压这么高,频率超过1M,
这不是一般的难度,不是一般的财力和精力做的事情。
建议请高手帮着做,或者询问成熟制品。
实在想做,先屯好仪器。

直流母线电压300V,建议开关频率不要超过200kHz
不要问我为什么,硅材质的MOSFET就这德性
驱动变压器选用主要取决于需要多大的驱动电流
避免驱动变压器饱和即可

频率太高了。
还是先把信号隔离,然后再用专用的MOSFET驱动器吧。
隔离部分用高速光耦,100M以上的;或者TI ISO7220系列芯片。

有成品的驱动变压器。
http://katalog.we-online.de

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