两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用，总是烧MOSFET，求教

如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池48V的，驱动信号开通MOSFET电压Vgs=20V，关断电压Vgs=-4V，为何会烧MOSFET，而且烧了两次都是电流流经的第一个管子，还请经验丰富的工程师不吝赐教。下图是实物接线图

2个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用

这个就是你散热处理不好了，不过最好还是使用示波器测试一下Vgs端开启，上升沿和下降沿的时间。根据这个，才能好好的分析这款MOS管的工作情况。

补充一下，两次烧MOSFET都是在放电时烧的，负载使用的是电子负载，负载电流150A，电压和电池电压保持一致

先不管驱动做得怎样，MOS管的100V电压余量本来就很小了，就算没有噪声Q１４的VDS已经达到了96V左右。你能保证不过电压吗?

我用万用表量测的，在栅极-源极电压为负压状态下，开关电源负极到电池负极的电压只有50V，你说的Q14的Vds达到96V是怎么来的?不明白，还请赐教

是我想岔了，把电池和想成正负相连了  不好意思！功力不够，帮不上忙……

能关断?S极电压能比电源负极低么?

可以关断的，栅源电压的供电电源和电池是隔离的

还有个二极管呀，只要源源极电压高于漏极。就会导通的。

其实，这个烧坏管子，是在开启放电就烧坏了，还是开启后烧坏的?如果是开启后烧坏的，估计是散热做的不好，如果是开启瞬间就烧坏了，就是控制Vgs的电路出问题了。我还不知道你这个具体是那种情况下烧坏MOS管的

两个二极管是反向的，只有漏极和外界相接，应该是不存在无法关断的

是在开启后，正在运行的时候烧坏的

为何两个管子的方向不一致?

这个电路导通时，g给正电压，第一个管子ds正向导通，那第二个管子呢?

mos管里的二极管那是寄生二极管，通过的电流不能太大

你的S脚接到哪里的。
另外你的G脚控制电压是多少，如果MOS管没有完全导通，发热会很严重，所以，一般都会用P管来做电源控制！
烧管子，只有两个原因，过压击穿，过流发热
如果有感性负载和和较大的输出电容一定要注意，开关的打开和关闭瞬间的瞬态过压和过流！

那么大的电流 一通电 立马把 MOS的寄生二极管 干掉

非常谢谢各位的热心解答，问题已经找到了，因为我用了两路电池，而两组MOS的驱动电压没有做隔离，使用独立的电源就好了

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