MOS管阈值电压损失的疑问

时间：10-02 整理：3721RD 点击：

根据以前教科书上的描述，对于一个NMOS，如果它的漏端接电源VDD，对源端进行充电，那么源端最大能充到的电压为Vgs-Vth。
对于smic 65工艺的nmos，vth约为0.4v，如果Vgs小于0.4v，那么源端能充到的最大电压时多大?
我在Hspice下画了如下电路：
1.2V是电源，0.2v是栅极电压，衬底接地，得到Q点的电压为0.35V左右。
有点不太清楚0.35V是怎么来的，特来求问。