电机驱动，pcb布线请指教
板子比较小，电流3A以内，不知道有没有什么地方可以改进的。
最好加上电流检测
不知道要求的开关频率是多少，这个驱动电路MOSFET动作较慢，损耗较大。
看起很脆弱 全部是分立元件搭的 只可以驱动直流电机 ？求具体阐述哈 一起交流下呢
这个封装的mos好像还比较多，不知道能不能推荐个快点的，运行频率100K左右pwm调速，
不知道现在的电路设计和pcb布线有没有问题，
对，分离元件，半桥，死区时间等等由stm32控制，
根据需要写算法的话，应该可以实现很多功能，用作stm32 maple 开发板上作为扩展，
设计是使用在小于20V的电机上
我也是这么想的，但是用作maple 的扩展板尺寸限制了，加不下
为了保护不被烧加上了个自回复保险来保护电路。
电流检测不过一个采样电阻，一个输出而已，你这个电路不能用于快速信号，我以为是你的设计初衷呢，如果不是的话，一个图腾柱驱动是必须的，如果VCC5V的话常用反相器驱动，或者用专用的mosfet驱动器，体积也不大
提高光耦提供的电流驱动呢？如果用反向器可以不用光耦了吧？74HC好像能承受12V？
本来想用IRS2103SPbF但好像太大材小用了。
现在这种设计十来k的频率应该也可以达到把。
74HC只有一款能承受12V以上的输出，其它的都不行，其实关键看你这个板子用在哪里，如果只是步进电机是足够了的，因为步进电机速度不怎么快，功率也不大，但是大功率直流电机或者无刷电机就非常有问题，所以要先确定你这个板子是用在哪里
驱动一个12V 40W的有感直流无刷电机
或是一个30W的电致制冷片
或是一个12V 5W的6线步进电机
或是2-3个12V 10W的直流有刷电机
那你这个电路原理就有问题
？能说详细点吗？
步进电机直接驱动，不要求很高的频率，但是如果牵涉到调速，波形，就需要高频方波进行波形重建，但是你用电阻上的假驱动，驱动电流非常小，可能不到1毫安，导致上下切换存在死区，导致半桥短路，爆管
1.我打算减小那个电阻来提高驱动电流
2.死区时间是用stm32来控制的
我算下时间，实在不行就换成sot32的mos用推挽式驱动。应该能放下。
但是我有个问题，图腾试的驱动如何输出高阻？ 因为三相无刷好像需要高阻态。每相都要4个三极管和2个mos？
减小电阻可能导致光耦过载，或电平不稳。STM32控制死区时间是有限的，你的保证在死区时间内MOS可靠打开关断，即保证足够短的mosfet开启关断时间。但显然你这个电路不具备
你这个电路不具备驱动三相无刷的能力，高阻也是需要电路支持的
觉得很好看啊
这个电路上下管不是都可以分别控制导通.
上下管同时导通，pptc就是用来防止这个时候导致烧管的。，，，
能不能帮忙找个合适的电路参考下？
另外请问这里光耦隔离是否必要？布线需要单点接地不？
这个板子接到stm32上来驱动一个有感无刷电机或是两个有刷直流电机，霍尔的线路另外接，板子只负责功率开关。
板子比较小，电流3A以内，不知道有没有什么地方可以改进的。
最好加上电流检测
不知道要求的开关频率是多少，这个驱动电路MOSFET动作较慢，损耗较大。
看起很脆弱 全部是分立元件搭的 只可以驱动直流电机 ？求具体阐述哈 一起交流下呢
这个封装的mos好像还比较多，不知道能不能推荐个快点的，运行频率100K左右pwm调速，
不知道现在的电路设计和pcb布线有没有问题，
对，分离元件，半桥，死区时间等等由stm32控制，
根据需要写算法的话，应该可以实现很多功能，用作stm32 maple 开发板上作为扩展，
设计是使用在小于20V的电机上
我也是这么想的，但是用作maple 的扩展板尺寸限制了，加不下
为了保护不被烧加上了个自回复保险来保护电路。
电流检测不过一个采样电阻，一个输出而已，你这个电路不能用于快速信号，我以为是你的设计初衷呢，如果不是的话，一个图腾柱驱动是必须的，如果VCC5V的话常用反相器驱动，或者用专用的mosfet驱动器，体积也不大
提高光耦提供的电流驱动呢？如果用反向器可以不用光耦了吧？74HC好像能承受12V？
本来想用IRS2103SPbF但好像太大材小用了。
现在这种设计十来k的频率应该也可以达到把。
74HC只有一款能承受12V以上的输出，其它的都不行，其实关键看你这个板子用在哪里，如果只是步进电机是足够了的，因为步进电机速度不怎么快，功率也不大，但是大功率直流电机或者无刷电机就非常有问题，所以要先确定你这个板子是用在哪里
驱动一个12V 40W的有感直流无刷电机
或是一个30W的电致制冷片
或是一个12V 5W的6线步进电机
或是2-3个12V 10W的直流有刷电机
那你这个电路原理就有问题
？能说详细点吗？
步进电机直接驱动，不要求很高的频率，但是如果牵涉到调速，波形，就需要高频方波进行波形重建，但是你用电阻上的假驱动，驱动电流非常小，可能不到1毫安，导致上下切换存在死区，导致半桥短路，爆管
1.我打算减小那个电阻来提高驱动电流
2.死区时间是用stm32来控制的
我算下时间，实在不行就换成sot32的mos用推挽式驱动。应该能放下。
但是我有个问题，图腾试的驱动如何输出高阻？ 因为三相无刷好像需要高阻态。每相都要4个三极管和2个mos？
减小电阻可能导致光耦过载，或电平不稳。STM32控制死区时间是有限的，你的保证在死区时间内MOS可靠打开关断，即保证足够短的mosfet开启关断时间。但显然你这个电路不具备
你这个电路不具备驱动三相无刷的能力，高阻也是需要电路支持的
觉得很好看啊
这个电路上下管不是都可以分别控制导通.
上下管同时导通，pptc就是用来防止这个时候导致烧管的。，，，
能不能帮忙找个合适的电路参考下？
另外请问这里光耦隔离是否必要？布线需要单点接地不？