请教电流传播速度和电子漂移速度的区别

哪位大侠能解释一下电流传播速度和电子漂移速度的定义和区别，好像电流传播速度跟光速差不多，但电子漂移速度很小，不到0.1mm/s，怎么理解这两个速度?恳请解释，万分感谢！

电子的移动很慢，微米数量级，电流是30万。它们的差别可以这样理解，一段导体中的电子数量差不多固定的，一端送入一个电子，另一端就得挤出来一个电子，所以电流和电子会差别这么大。

请教HGR211，如果电压增大10倍，电子漂移速度是不是也增大10倍?

电流的产生是由于场强的建立拉动电子形成，场强的建立是非常快的等于光速，所以电流也是光速。

本质上说，金属导体中的电流是由金属中的自由电子定向移动所产生的，电子定向移动的速度由以下的方法简单算出：

设一段金属导体的横截面积为S，自由电子密度（单位体积内自由电子数目）为n，自由电子定向移动速率为v，那么在时间t内通过导体某一横截面积的自由电子数目就是nSvt,如果电子电量为e，那么在t时间内通过横截面积的电量q=nSvte.由电流强度的公式I=q/t可以得出：I=q/t=nSvte/t=nSve.即：自由电子移动的速度v=I/(neS).

上面的计算可以得到，自由电子定向移动的速率和电流强度成正比，和金属导体的横截面积于导体的电子密度（由导体本身性质决定）的乘积成反比．也就是说，电流越大，自由电子的速度就越大．而横截面积越大，电子速度就越小． 
电流增加十倍，如果导体中电子数量是固定的，公式中N为常量这个说法是正确的，但是有时要考虑到其它因素，例如温度等造成的本征激发（半导体），n就会变化，电流与电子移动速度就不一定是倍速关系。

总结我认为横截面均匀的金属导体这个说法是应该是正确的

HGR211解释得非常好，让我豁然开朗，非常感谢！

非常感谢！