IBIS模型中buffer驱动能力的疑问

做仿真也三四年了，才发现这个问题。

前几天做8245带SDRAM的仿真，看8245资料，发现它的管脚驱动能力是可以通过寄存器ODCR配置的，也就是通过改变内阻的阻值而改变驱动电流的大小。

所以有个疑问，如果驱动电流不同，MODEL也应该不同啊。但是IBIS模型是改不了的啊，每次都是拿来模型直接仿。IBIS模型怎么体现这点的呢?采用的是默认值吗?

有没有哪位师兄师姐既熟悉SI又懂产品原理的，谢谢！

不同的驱动力等级（阻抗等级）的IBIS模型是不同的，元件供应商一般也会提供不同驱动力的IBIS模型。

我又好好看了一下8245的模型，的确如此，分了6ohm,20ohm,40ohm三种。

谢谢哈，又学到了一点。

惭愧啊，惭愧。

请问wuji2001，ibis model怎么去除验证中的错误比如在cadence中的model inte中出现地错误：ERROR (line  473) - dV must be greater than 0 in a Ramp specification

ERROR - Model phtbsu100ct8sm_esd: The [Falling Waveform]
      with [R_fixture]=50 Ohms and [V_fixture]=3.3V
      has TYP column DC endpoints of  1.36V and  3.30v, but
      an equivalent load applied to the model's I-V tables yields
      different voltages ( 1.05V and  3.30V),
      a difference of 13.94% and  0.00%, respectively.
如果对错误进行了修正，那对模型的准确性有什么影响?先谢谢了！

ibis模型的精度本来就比较低，仿真只是对波形的拟合来体现不同case的情况，上面的数据很多是实验数据，和理论数据会有差异，是需要人工修正的。

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