请教关于DDR的具体参数

一般的DDR400好像都采用源同步技术，我看了一下美光的一款DDR400，我有几个问题需要帮忙：

1：一般所说的Tco，在美光的Datasheet中应该就是Access window of DQs from CK/CK#（tAC）吧

2：由于DDR有个DQS信号，所以在考虑时序的时候，Tco只要用Access window of DQS from CK/CK#（tDQSCK）就行了吧?如果做到DQ和DQS等长的话。

3：还有，DDR在读写的时候DQ和DQS一个是同相的，一个是相差90，这个需要在时序分析的过程中考虑进去吗?我看有资料说是在目前的DDR Controller中都会有个DQS的相位控制器自动会配置的，所以不用考虑。需要经验人士确认一下。

多谢！

1. tAC (data-out transition skew to CK) 这是原文解释，是数据窗口大小的一个值，所以不是Tco的概念

2。同理Tdqsck ((DQS transition skew to CK)),是DQS相对于CK的值，不是Tco的概念

Tac和Tdqsck其实是描述DQ和DQS相对于时钟的SKEW值参数

3。读写时的0度和90度是DDR规范定义，芯片通过DLL满足这个要求，所以不用考虑。

 谢谢楼上的，这是我在美光DDR400的时序参数，请问哪个是Tco,时钟触发到数据输出的延时，我都找不到哦，谢谢。

请教关于DDR的具体参数

因为没有 所以你找不到

简单的讲，区别就是源同步中插入了DLL部分，因此外部时钟CK和DQS分属两个时钟域，

而Tco公式是一个时钟域的概念，所以你找不到Tco

顶一下，希望有大人解释一下如何看DDR datasheet中的关键参数，以前没有设计过两个时钟域的东西，不知道怎么根据时序算走线长度。