如何计算io驱动能力

对于cmos器件
1 如何计算驱动器内阻 我看到过一个公式 (vcc-vohmin)/Iolmax;但根据此公式计算dm642的内阻R=(3.3-2.4)/16=56欧姆；而在hyperlynx仿真时看到其内阻为8.8欧姆；哪个对呢 当然我倾向于后者 不过理论支持何在
2 如何计算io带容行负载的能力 比如接lvth16245能接几个?我看到有两个因素：
          a 符号间干扰  即电容增大带来的延时增大不能造成符号间干扰 如果信号频率为f（或者说1/f变化一次）那么1/f>2.2RC 则C<1/(2.2Rf)  是这样吗?
          b 功率限制 P=fcvv  我依此计算sdram 133*3*2*3.3*3.3=8.7mW  (此时需要考虑io的输出电容吗) 其他io同理计算 不过我没查着这个数据该跟谁比较 只好跟芯片的最大功耗比较了
还有其他的考虑吗
3 如何计算io带ttl器件的能力?

4 ttl带cmos的能力

请大侠指点阿 谢谢