关于RE102的几个问题
时间：10-02
整理：3721RD
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大家好，本人第一次发帖，有个问题想请教大家：
前几天，我随公司第一次做EMC实验。
先简单介绍下设备的组成，设备里面有十多个模块，每个模块有40*30*26大小，四周都有金属铝壳包围，每个模块里面都有40MHZ的晶振，而且还是一个模块2个！，有一面是接插件所在的面，每个模块至少有三个接插件，总起来有四五十个吧。接插件没有经过屏蔽处理，也没有滤波，，就直接接的外面的电缆，这些接插件有的是输出，有的是输入，设备里面还有电源DC/DC模块。
在做RE102的实验的时候，在频率是550MHZ-750MHZ的时候，分别在600MHZ、640MHZ、680MHZ、720MHZ上有很高的脉冲，超过了标准值。这应该是什么原因?
我自己分析了一下，不知道对不对，这个RE102是辐射发射，主要的是电场辐射。我们这个设备里面主要是高电压，小电流，一些接插件是做输出，一上电（100V），100V开始工作，就开始一天线形式往外辐射。有一些毛刺是正常的。
我不明白的地方就是为什么在高频出有脉冲，这么高的频率应该跟晶振有关系，（晶振我们的处理是输入电源处进行了滤波处理，输出没有任何处理，难道要对输出进行滤波?在用示波器测试晶振的时候发现，晶振的输出不是很平滑啊。）但是按照傅氏级数，正弦或者余弦的傅氏级数在高频出的幅值应该很小才对啊，怎么会那么高呢?怎么产生的?
请各位大侠帮帮小弟 谢谢了
前几天，我随公司第一次做EMC实验。
先简单介绍下设备的组成，设备里面有十多个模块，每个模块有40*30*26大小，四周都有金属铝壳包围，每个模块里面都有40MHZ的晶振，而且还是一个模块2个！，有一面是接插件所在的面，每个模块至少有三个接插件，总起来有四五十个吧。接插件没有经过屏蔽处理，也没有滤波，，就直接接的外面的电缆，这些接插件有的是输出，有的是输入，设备里面还有电源DC/DC模块。
在做RE102的实验的时候，在频率是550MHZ-750MHZ的时候，分别在600MHZ、640MHZ、680MHZ、720MHZ上有很高的脉冲，超过了标准值。这应该是什么原因?
我自己分析了一下，不知道对不对，这个RE102是辐射发射，主要的是电场辐射。我们这个设备里面主要是高电压，小电流，一些接插件是做输出，一上电（100V），100V开始工作，就开始一天线形式往外辐射。有一些毛刺是正常的。
我不明白的地方就是为什么在高频出有脉冲，这么高的频率应该跟晶振有关系，（晶振我们的处理是输入电源处进行了滤波处理，输出没有任何处理，难道要对输出进行滤波?在用示波器测试晶振的时候发现，晶振的输出不是很平滑啊。）但是按照傅氏级数，正弦或者余弦的傅氏级数在高频出的幅值应该很小才对啊，怎么会那么高呢?怎么产生的?
请各位大侠帮帮小弟 谢谢了
大侠帮帮忙啊
帮你顶一下！
谢谢分享
自己顶啊 ~~~~
脉冲干扰点都是晶振频率的倍频，所以很有可能是晶振信号共模引起的，这种高频的主要还是通过屏蔽去处理的，可以在测试的时后RE读点看看干扰是不是每个角度都很强，也可以改变输入输出接线位置去判断干扰是如何串扰出去的