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Q 求助MOS管充电原理

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
求助MOS管充电原理


Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通,Q4 關閉。
當DC_IN消失的時候,Q4導通,Q2+Q3 關閉。

Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通,P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起,电流怎么流的?

增強型的金氧半場效電晶體(EnhancementMOS)也有四隻腳,理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管,造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。


當交換D和S的時候,在設定MOS管偏為壓導通的狀況下,Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下,會有漏電的存在(VF壓差) 。


非常感谢!说得很详细。

Q1呢

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