高速信号线上串电容

根據 3GPP 規範 TS 51.010-1 V70 (2006-01)、章節 27.17.2 Electrical Tests on each ME contact 敘述，SIM_CLK、SIM_DATA 及 SIM_RST 上的負載電容（Load Capacitance）不得大於 30pF。
不要再亂搞了，已經清楚告訴你規範寫在什麼地方，好好去看一下！
為什麼會有上面那段文字?因為以前也是照一些原廠建議惡搞，但只要 SIM Card 認不到老闆就出來飆人，久了之後就變成悔過書（分析報告的暱稱）的制式規格，開宗明義規定要寫這段。

能不能详细的说明下?谢谢了

交流耦合，通信上必用

（串电容）交流耦合，提高抗干扰能力，一般用于远距离传输，或者在板间传输的情况，在以太网传输信号线路上经常这样用
（并电容）滤波，滤除高频噪声

  一般不会再高速信号线上面并电容吧?只会在Power上面并电容吧

会的，在SIM卡接口都会并上电容的

   如果并电容的话，信号不是会直接传送到GND去了?

通常选择pf级别的电容，滤除高频噪声，如果有信号并联电容，频率不会在滤除范围内
【以上观点，仅供参考】

是电容，我们的方案就是这样设计的

  非常感谢..

我同意，华为MU609上面就有写sim卡的脚上需要接33pF电容到地

mark，狗小编是台湾的吗?怎么都用繁体字的

受教了！

狗家族的新成员?