帮忙分析下这个电路

就是PWREN拉低时，Q2截止，Q1截止。PWREN拉高或者高阻，Q2导通，Q1导通。

非常典型的信号控制大电流开关：power_en高，Q2导通，PMOS管通，VDD_core_1v2上电；power_en低，Q2截止，PMOS截止，VDD_core_1v2下电

在VGS只有1.2V的情况下，MOS管的电流Id让人担忧....

四樓所言極是！

power_en为高时  G极电压应该不会为0，不知道MOS管是否能导通

追问一下：R11=10K的电阻是起什么作用?

核心电压 电流大 这个管能行?

R11应该用100K好一些，R4应该要下拉

你这个电路本身可能会有问题，Q2应该改用N—MOS管，否则Q2基级为高时Q1的G级仍然有2.6V左右的电压，Q1不会导通的

这个电路本身可能会有问题，Q2应该改用N—MOS管，否则Q2基级为高时Q1的G级仍然有2.6V左右的电压，Q1不会导通的.你们觉得呢?

这个电路本身可能会有问题，Q2应该改用N—MOS管，否则Q2基级为高时Q1的G级仍然有2.6V左右的电压，无论PWREN是高是低，Q1都不会导通的.所以1.2V根本过不来，你们觉得呢?

有写地方不能用这电路