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MOSFET的寄生二极管

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
正常情况下,MOSFET的寄生二极管压降是0.5左右,如果测得的值是0.2左右,是否就有问题,前提是同一批芯片。

寄生二极管压降你都能测试得出来。!全体敬礼

拿N-MOSFET为例,用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极),不知方法是否正确,请高手指正!
谢谢!

有规格书指示该body diode压降是0.5V?最好是以实际电路测试D,S对参考点电压。
一般不会有那么大的压降才对。

我看了一些测试的资料;测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

好的,谢谢Super Girl,这个确实没注意到栅极电平问题,改变下测试方法!

好的,谢谢!
MOSFET的手册都会有体二极管的参数说明,我这是从板上拆下来MOSFET测得的,有可能是有问题的片子。

嗯,好的,谢谢!

以我的认知,万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
打开任意mosfet的datasheet,可以看到这个寄生的二极管的压降测试是有严格的条件的。



一般用curve tracer去测。
设置peak voltage;
附加可调串阻
设置极性;
设置pulse特性。



即使你使Vgs=0,万用表测得也不能与datasheet上的体二极管压降作比较,因为测试条件就不同,用来判断极性,万用表倒是可以。

好的,谢谢Vincent,还这么细心的把图贴了。
说下我的理解:芯片Datasheet的很多参数都是在一定的条件下测得的,但这并不意味着你用别的方法就测不了,当然我不是做芯片的,可能我的方法确实不太科学,当然你说的测试方法应该是严谨的,谢谢你!
最后我想说的是,经过我简单的测试,得出个结论:如果栅极悬空的话,是会影响测得的体二极管压降值;如果栅源短接测的话,体二极管压降基本差不多!

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