大家帮忙分析一下这个复位电路

复位时间是由R1和C1、C2(这里C2也很有可能是滤波用的)决定的，
两个三极管是做了两次电平翻转，目的是将C1、C2上的逐渐变化的电压变成类似数字信号的高低电平

在上电的瞬间，电流通过R1给C1\C2充电，第一个三极管的基极是被拉低的，不能导通，这两个三极管不能作用；此时3.3V通过电阻R2给C3充电，实现对RST的拉低。觉得不是2楼说的R1和电容C1来复位，这两个再充电的瞬间是不能把RST管教拉低的

在上电的瞬间，电流通过R1给C1\C2充电，第一个三极管的基极是被拉低的，不能导通。
这是对的，这时候第由于第一个三极管不导通，第二个三极管基极电位被R3拉高，因此第二个三极管导通，C3被短路，RST为低电平复位信号。
直到R1给C1\C2充电电压超过0.7V第一个三极管导通第二个三极管截止，才会通过R2给C3充电。
设计中R2的电阻应该是限流保护用的，组织较小，C3是滤波用的容值也很小
我感觉这个电路还有一些缺陷，第一个三极管发射基应该有一个抬高电压的电阻或者二极管之类

再补充一下，按照yezi2893802 的说法设置元器件参数电路也可以实现，只是有三个地方有些解释不通
1、C1为什么要采用电解电容?电解电容一般容值较大，适合做稳压和长时间延时
2、如果电路中两个三极管不其作用而是靠R2、C3的话这个电路中许多设计都没有必要存在了
3、通过R2、C3充电的电压变化是按照指数关系逐渐变化的，虽然也可以做复位信号但是效果不理想

1.R1和C1,C2组成的阻容复位,两个三极管的意图是将RC指数波形整形成方波
2.C1C2接在三极管的基极的做法有问题.没有考虑到Vbe被钳位在0.7V了,所以这个复位时间是无法控制的.如果想把复位时间做长点,只能再加个大的电解电容.其实解决的办法很简单,在复位电容与基极之间串入一个电阻,这样复位电容上的电压就不受Vbe的限制了,复位时间也可以根据RC成指数变化,复位时间很容易调整,而且可以去掉那个大的电解电容

感谢楼上Juger 的解释,本人比较同意这个分析！

C1一般取4.7U左右，复位时间100～200ms，差不多可以满足芯片复位的要求了。需要更长时间，可以将C1增大到10U左右，复位时间一般>300ms。

谢谢各位大侠分析，学习了！

谢谢各位的分析  学习了

1楼正解

谢谢各位的分析，学习了

两个管子其实质是一个buffer，主要有两个作用：1、缓冲。2、电平转换。
C3的作用是EMC和ESD考虑。0.1u或1u即可
R1主要是上拉第一个管子基集，为其提供工作电流。
C1、C2两个作用：充电延时和ESD保护，C1不需要电解电容，具体参数由复位时序决定，一般选用uf级别的陶瓷电容。C2可选择0.1uf的陶瓷电容，靠近第一个管子的Pin脚摆放。
此处，我认为最好能在C1前面串接一个K数量级的电容，用于隔离，因为第一个管子打开后，基集对发射极电压很低（不同材质管子电压不同），如果没有电阻隔离的话，会将复位信号源拉低。可能会造成其他不好的影响。
加了串接电容后，延时时间可以用RC（R为串接电阻，C为C1）计算。

真是精辟啊，感受了，谢谢

复位时间应该是由R1和C1来决定。