加速RF器件测试的正确操作方法

　　                      图3：a：集电极-发射极击穿电压，基极开路;
　　                     b：集电极-发射极击穿电压，基极短路;
　                        c：集电极关断电流，ICBO，及集电极-基极击穿电压，发射极开路。

　　通常RF功率三极管要测的其他参数有集电极-发射极持续电压，BVCEO(sus)或VCE(sus)，在基极-发射极之间的结上采用反向偏置时集电极-发射极的击穿电压(BVCEV或BVCEX),以及集电极开路时的发射极-基极击穿电压(BVEBO)。

　　结漏电流

　　描述器件关断时的漏电流也非常重要，因为在器件不工作时，漏电流将浪费功率，会缩短电池供电设备的工作时间。最常测量的漏电流参数是集电极关断电流(ICBO)，在集电极和基极之间测量，发射极开路(图3c)。基极反向偏置漏电流，也称为发射极关断电流或发射极-基极关断电流(IEBO)，是另一个最重要的漏电流，它是器件关断时基极的漏电流。