vel tracking,以避免仪器对burst幅度误差进行补偿)
带内杂散判别
图12 杂散信号测量
如图12显示,可以通过EVM Vs Carrier测试选项来判断某个载波位置上的异常EVM值,并进一步确认杂散信号的位置。
I/Q调制误差判别
图13 I/Q调制误差测量
如图13显示,通过Tx-Rx gap level或者载波的异常EVM值可以判断在产品设计过程当中出现的I/Q调制器误差,如I/Q offset(直流分量导致的原点偏移);Gain imbalance(增益不平衡)和Quadrature(高频振荡非正交引起的角度偏差)。
WiMax 射频测试 相关文章:
Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有
网站地图