IBM锗硅技术助TD核心芯片达商用量产要求
广晟微电子有限公司成立于2003年,注册资本金1000万美元,专门从事数模混合高速集成电路芯片(RFIC)的设计、测试以及封装,现有员工50余人。之前入网测试的TD射频芯片均是美国美信和ADI公司的产品。
IBM锗硅技术代工
IBM是世界上第一个生产硅锗(SiGe)芯片的厂商,摩托罗拉、AirgoNetworks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。这种芯片类似于标准的硅基芯片,但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低,性能更佳。
"RS1012射频芯片是广晟微电子用了16个月的时间,先后投片二次才完成设计、优化和实现商用量产的。"广晟总经理王小海表示,"1.0版本的TD射频芯片于2005年投片,2006年初第一版测试;2.0版今年5月份投片,10月封装测试。"
目前涉足于TD-SCDMA射频芯片研发的有三家企业,即锐迪科、鼎芯与广州广晟。六家公司则在开发TD-SCDMA基带芯片,分别是展讯、凯明、T3G、大唐移动、重邮信科和华立。
在射频芯片方面,锐迪科和鼎芯都强调其产品全CMOS工艺的先进性;广晟和锐迪科采用TD-SCDMA/GSM双模方案,由于至少未来2~3年中国3G和2G网络都将并存,所以双模设计更具现实意义;而三家厂商中,锐迪科在SCDMA、PHS领域均有成功的量产经验,可提供完整的RF套片和系统解决方案。
支持HSDPA年中测试
广晟的TD-SCDMA射频芯片,支持TD-SCDMA1880~1920MHz和2010~2025MHz频段、GSM900、DCS1800、PCS1900,且支持高速数据模式16QAMHSDPA。
"HSDPA尚无条件测试,TD基带芯片的处理能力跟不上。目前没有实际网络和测试环境,但是今年年中可以。"广晟总工程师郑卫国坦言。
展讯、凯明、天碁等基带厂商均肯定芯片不局限于现有TD-SCDMA,而是积极向HSDPA进行演进,并且"2007年HSDPA家家90纳米。"
去年年底,重邮信科等厂商宣布,已经可以提供商用的TD-SCDMA基带芯片。2007年重邮信科的芯片将会量产出货,一旦客户需要,则可以通过合作伙伴中芯国际在8-10周内完成生产。
芯片整合大势所趋
通信终端芯片和PC机的整合芯片情况类似,将所有不同的功能模块直接集成于一颗硅片上,常常是唯一的高性价比解决方案。
就芯片设计和工艺问题,新浪科技曾多次和芯片厂商工程师交流。目前美国高通公司正在推动终端平台的单芯片解决方案,3G芯片技术也最为领先。在高通以前的平台上一个手机产品至少需要3个芯片,包括一个基带芯片、一个射频芯片和一个功耗控制芯片。现在高通推单芯片解决方案就把这几种功能融合到了一个芯片(SoC)上。
展讯TD/GSM双模基带芯片SC8800也把多种功能整合到一个SoC上。SC8800采用0.18μmCMOS工艺,支持MP3/AAC、MPEG-4、500万像素摄像头、DV、TVOut以及可视电话等3G典型业务的功能。功能高度集成减少了最终产品的器件数目,并得以降低成本。但是TD芯片尚未尚未像CDMA2000和WCDMA那样将射频芯片也整合进来。
目前较为成熟的TD芯片均使用0.18μm工艺,除了功能暂能满足终端当前需求外,代工厂商的高昂流片成本也是影响使用先进工艺的重要原因之一。
"IBM代工的90nm产品流片要比0.18μm贵一倍。"广晟总工程师郑卫国透露,"但是芯片量产上去后,流片的成本就可以分摊甚至大大忽略了。"