对高阻抗缓冲放大器的输入实现ESD保护
在某些测量应用中,如pH值(酸度)和生物电势需要高阻抗缓冲放大器。虽然有几个半导体制造商提供具有低偏置和输入偏置电流特点的放大器芯片,配上传感器电缆可能会因为ESD(静电放电)对放大电路造成损害。图1显示一种不令人满意的方法实现ESD保护。电阻R1抑制ESD的放电电流,而二极管D1A 和D1B钳住放大器IC1的输入到供电电源轨。不幸的是,当并联pH值传感器的为400MΩ输入阻抗时,即使采用低漏电流二极管,如Fairchild公司的MMBD-1503A,仍引入很大的偏置电压。
图2中的电路提供另一个方法。Analog Devices公司的低输入偏置,低偏置电流的AD8603放大器IC1,作为单位增益输入缓冲器。对于任何正常输入,电路的输出电压VOUT 等于其输入电压VIN。因此,电压经过ESD保护二极管D1A 和D1B接近0V,二极管漏电流均不影响传感器输出信号。依靠ESD适用电路输入连接器的极性,其高电压放电通过二极管D1A 或D1B进入供电正向或负向电源。电容C1充当中间"电荷存储器",放慢ESD的上升速率,保护IC1的输出过程,从锁存到二极管D1A 或D1B开始分离ESD瞬流到正向或负向电源。实际上,C1补偿D1的寄生电容。电阻R3允许IC1来驱动电容负载,使C1不会进入振荡状态。
在ESD事件中,D1和D2可以进行传导,但通过两个前置偏移二极管压降,VIN端的电压超出供电电源电压。电阻R1和R2限制放大器输入电流在制造商建议的最大5mA之下。
封装电路时,需要特别注意电路板的布局。电路板介电性能的缺陷会给寄生漏电流提供路径。在电路板的两面敷铜形成保护环,可以在电路高阻抗节点周围转移漏电流(图3)。
- PulseGuard ESD抑制器在便携式设备中的应用(05-06)
- MAX2140内部ESD二极管的保护电路设计(07-14)
- CMOS集成电路中ESD保护技术研究(10-17)
- 可靠性工程——关于电子设备静电放电(ESD)防护的设计原则(10-30)
- 关断检流放大器的两种基本方法(02-14)
- ESD保护策略解析(01-18)