安森美音视频及电源管理解决方案

反向驱动电流保护功能。

四个高速对、多达六条额外接口线、匹配内部阻抗ESD保护的PicoGuard ® XS CM1234可匹配100?Ω内部阻抗，零并联电感没有线缆引起的ESD电压尖峰，具有行业领先的低钳位电压。

安森美半导体还提供针对多种消费接口的滤波及保护解决方案，包括HDMI 1.2、HDMI1.3/1.4、DisplayPort V1.1、DisplayPort V1.2、VGA、DVI、USB2.0、USB3.0、eSATA1.0、eSATA2.0、eSATA3.0、1394-400、1394-800、以太网、快速以太网和千兆以太网等。

紧凑型智能卡接口NCN8024、NCN8025和NCN8025A具有兼容现有"收费电视"标准，集成了音序器、卡检测、时钟除法器，卡引脚高达8 kV ESD保护(人体模型)等功能。

开关控制器和稳压器

安森美半导体的开关控制器的关键特性包括宽输入电压范围、缓冲的外部高于1.25 V的电压参考、电源良好+启用/禁用引脚、外部同步和输出过压和欠压保护。根据型号不同，具有支持短路保护、高轻载能效、断续(hiccup)模式过流保护、双输出、无需补偿、PG/EN/SYNC功能、使用陶瓷输出电容、高开关频率、降压/升压/正前/反激、支持小PCB面积、支持隔离、PoE应用、集成开关等特性，详见下表。

表1：安森美半导体应用于家庭娱乐应用的开关控制器方案

　　线性和开关稳压分为电流<1A和5A两类，还有< 5A的开关稳压器，器件型号有数十种之多，适用于不同电流等级的应用，详见参考资料1。

电压监控器、整流器、电压参考和电位计

安森美半导体的电压监控器有近30款产品，具有最低的静态电流，可延长电池寿命；大电压阈值，以及宽工作电压范围，最高可达10 V。

初级侧、次级侧及负载点整流器包括：输入/初级侧整流超快器件、输出/次级侧侧整流肖特基和超快器件，以及负载点整流肖特基器件。

电压参考器件的主要特点是提供从0.9 V至2.5 V的精确参考电压、从0.4％至3％的严格的电压容差、输出电压范围高达36 V，以及时间和温度范围的低动态阻抗、低噪声和稳定运行。根据型号，电压参考分为可调和固定两种。

用于调整和校准的数字可编程电位计不会随时间或温度漂移，也不会因机械应力或冲击而变化，系统可以实时在应用现场校准，广泛的产品组合便于选择最佳数量电位(pot)和抽头(tap)的电位计。

I/O扩展器、配置/校准存储器和时钟

安森美半导体的级联I/O扩展器采用I2C和SMBus接口和1 MHz的SCL时钟频率，具有30 mA SDA灌电流能力，可用于背板系统等应用，实现键盘控制、温度控制、热插拔控制等功能。图6是背板系统的各种控制功能。

图6：背板系统的控制

　　用于配置和校准的EEPROM具有1 KB至1 MB的可用密度，采用工业标准串行协议(I2C、SPI、Microwire)，宽工作电压范围为1.8 V/1.7 V至5.5 V，编程/擦除次数超过100万次，具有工业和扩展温度范围以及丰富的封装，加上用户友好的便携式编程工具EasyPRO™使安森美半导体的EEPROM成为了最佳的选择。

在需要时钟产生与分配的应用中，可编程PLL时钟能够以一个器件满足所有时钟树要求，用一个多PLL可编程时钟即可取代所有时钟接口，并能够通过软件编程新的时钟配置来保持时钟架构的灵活性。安森美半导体的主要器件包括时钟乘法器NB3N3020、单PLL I2C器件(FS7140、FS7145)，以及三PLL I2C EEPROM(FS6370、FS6377)。

采用集成LDO的NB3RL02时钟缓冲器具有许多关键特性：低工作噪声(在10 kHz时为-149 dBc/Hz的偏移相位噪声)；0.37 ps(均方根)输出抖动；限制的输出摆率可降低EMI（10-50 pF负载的上升/下降时间为1至5 ns）；提供稳压的1.8 V外部I/O电源；ESD性能超过JESD 22(如2,000 V人体模型、200 V机器模型、1,000 V充电器件模型）。NB3RL02有两路CMOS输出时钟请求线。需要TCXO时钟的系统可从NB3RL02请求时钟，NB3RL02也可以为TCXO供电和提供所请求的时钟。采用NB3RL02可减少多个TCXO的成本。

用于电源系统的EMI方案

P6P82PS01A可配合PWM控制器抑制EMI，其主要特点包括：可无缝集成到现有的电源转换器设计当中，调节PWM控制器的现有RT或RT/CT节点阻抗，以减少电磁干扰；用户可选择控制关键扩频参数，以最有效降低EMI，实现灵活控制，确保不影响电压纹波和高效率等关键性能指标；降低整个频谱EMI达4至10 dB；减少或消除笨重昂贵的输入EMI电容。

P3P85R01A是以太网应用MII接口有源EMI解决方案，可降低1倍LVCMOS峰值EMI，输入频率范围为75-200 MHz，输出频率范围75-200 MHz；PLL旁路模式频率范围为100 Hz-200 MHz；另外还有模拟偏差选择、模拟输入输出延迟控制、模拟PLL输出延迟控制等功能。

P2042A是扩频用有源EMI抑制器件，可提供高达15 dB的EMI抑制；生成1倍低EMI扩频时钟输出；30-110 MHz输入/输出频率范围；可优化为32.5、54、65、74和108 MHz像素时钟频率；内部环路滤波可最大限度减少外部元件和电路板空间；支持大多数移动图形加速器和LCD时序控制器规格。

在机顶盒的DDR存储器EMI抑制应用中，使用P3P816711A可降低1倍LVCMOS峰值EMI，可30 MHz的输入参考时钟，并提供30 MHz ± 0.3％输出时钟。

图7：机顶盒应用的DDR EMI抑制