有关51单片机晶振的问题总结

六，单片机晶振与速度的疑问，执行一条指令的周期不是由晶振决定的吗。那么比如51单片机和MSP430，给51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度单片机速度仅仅与晶振有关，关键是单片机能不能支持那么大的晶振？

每个单片机的速度是受到内部逻辑门电平跳变速度限制的。两个芯片同时使用同样的晶振，比如12M的。因为AVR是RISC指令集，它在同样外部晶振频率下，比51要快。

比如，51最快能接40M，AVR是16M的晶振。

STC89C52大都用12MHz晶振，但由于其12个时钟周期才是一个机器周期，相当于其主频只有1MHz.

MSP430采用RISC精简指令集，430单片机若采用内部DCO震荡可达21MHz主频。单个时钟周期就可以执行一条指令，相同晶振，速度较51快12倍。

对于一个51，给他用更高的晶振，速度会快些。但是对于高级的单片机就不一样了。高级单片机内部，一般都是有频率控制寄存器的，所以，简单的增加晶振，可能达到单片机的极限，导致跑飞。

七，请问：有什么方法可以确定某一款单片机在某一大小的晶振下是否能正常工作？

晶振选择太高不太合适，具体晶振上限是多少，恐怕测不出来，只能按照人家单片机的要求，一般STC系列单片机上限是35M或40M，stc单凭上写的有，如STC11F16XE 35I-LQFP44G其中35I就是晶振最高35M的工业级芯片。

超过上限会出现什么样的问题，没有测试过，一般晶振选择12M的比较多，如果选择STC 1T指令的，就相当于12*12=144M的晶振。如果用于串口通信，建议选用11.0592M的或22.184M，选择晶振最主要还是参照人家的说明书。

八，4个AT89C51单片机能否用一个12M的晶振使其都正常工作？一个采用内部时钟方式，其余三个用外部方式……那四个都用内部方式可以不（将4个单片机都并联在一个晶振上）？

可以，其中一个正常接晶振，他的XTAL2输出接到另外三个的XTAL1输入上。

九，单片机的运行速度和晶振大小的关系，若单片机的最高工作频率是40M，晶振是否可以选择24M或更高，但不超过40M，这样单片机的运行速度是否大增？长期在此工作频率下对单片机是否有不良影响？单片机对晶振的选择的原则是怎样的？

当然是有影响的，单片机的工作速度越快，功耗也越大，受干扰也会越厉害，总之最高能跑40M的，跑不超过40M的是没有问题的，只是对相关的技术（如PCB的设计元件的选取等）会高去很多。

十，89c51单片机的复位电路中常采用12MHZ的晶振，实际上市场上稍小于12MHZ，为什么呢？

答：需要串口通讯时一般是用11.0582MHZ的，这样波特率才好算。

用12MHZ的工作周期就容易计算。

十一，单片机晶振上电不起振，但是手碰一下晶振就起振了，为什么？怎么判断单片机晶振是否起振呀？

看看晶振配的电容焊了没有，值有没有错误？

最简单是用示波器，另外可以看一下电源是否正常。

十二，怎样判断单片机外部晶振有没有起振？的STC89C52单片机本来是好好的后来不行了，换了个晶振就好了。但是过了几个小时后又不行了，是怎么回事。还有就是怎样判断晶振是否起振？

①先换一块单片机试试，问题还在则排除单片机；②可能是虚焊造成的，这点要注意；③用STC89C52也碰到过类似的问题，换了块晶振就OK了，好像STC起振不橡AT89S52那么顺。其实对于STC89C52可以直接看30脚（ALE），接个灯，起振一下子就能看出来了。

十三，51单片机晶振上接的电容大小该如何选择？是晶振越大，电容值也要大一些吗，一般常用多大的。有人说常用的从15-33pf，具体如何选择效果最好？比如分别用一个6M和12M的晶振，用多大电容更合适？

15-33pf都可以们一般用的是15P和30P晶振大小影响不大们常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M们都用的30P单片机内部有相应的整形电路们不比担心

23.给51单片机12M晶振接2200pF电容会怎么样？电路图里貌似是22pF的，但是没有22pF的……接2200pF会不会不正常工作？

不可以，晶体会不工作的。15-33p是合理范围。可以试试看，对单片机不会有损坏。

十四，没有程序的空白单片机，外部晶振能起振么？

没有内部晶振的单片机，外部晶振可以起振，如传统类MS51系列单片机有内部晶振的单片机，外部晶振不会起振，需要对外部晶振进行配置后才会起振，如果不对外部晶振进行配置仍使用内部晶振，如silicon lab系列C8051F020单片机

十五，为什么at89c52 P1.0输出2.5v电压，单片机好像未工作，晶振波形是不规则的正弦波可不可以？线路板没有达到预想效果，发光二极管一直亮，感觉还是单片机的问题，P1.0输出2.5v电压，