提高多模式MIMO接收器性能，同时减小占板面积

日益缩小的机箱中塞进很多接收器通道时，空间资源会很稀少。像LTC5569采用的那种4mmx4mmQFN封装通常只能含有一个混频器。现，LTC5569却含有两个混频器，因此使放置密度提高了一倍。每个混频器的RF输入和公共的LO输入都有集成的、内置到该芯片中的平衡-不平衡变压器，以使这些端口不需要外部变压器。值得注意的是，典型的变压器常常占用与器件本身一样大的PC板面积。当采用两个或更多通道(例如：4个通道或8个通道)时，占板面积的增加看似微不足道，实际上其快速增加有可能变得难以处理。

　　值得注意的是，内置在芯片上的RF平衡-不平衡变压器拥有独特的优势。因为作为半导体工艺的一部分，其金属走线的形状和厚度以及绝缘性都得到了很好的控制，因此这些变压器具有一致的阻抗特性，这是分立式、机械缠绕的变压器无法比拟的。因此，这些变压器以最小的偏差在不同系统间提供了可重复的响应特性。

　　LTC5569的RF和LO输入端的50Ω阻抗匹配还有助于保持外部匹配要求最低。在1.4GHz到3.3GHz时，RF和LO输入回程损耗高于12dB。在这些端口将只需要DC隔离电容器。因为LTC5569能在低至300MHz的宽频率范围内工作，所以针对700MHzLTE和800MHzGSM频带，它的RF输入可以非常容易地匹配。

　　此外，LTC5569的2dB高转换增益有助于消除对额外IF增益级的需要。该混频器提供卓越的26.8dBm输入IP3性能(在190MHzIF时)。此外，该混频器具有卓越的阻塞信号处理能力。当RF输入端存在5dBm的带内阻塞信号时，其NF仅略有下降，从11.7dB降至17dB(在1.95GHzRF时)。

　　低功率使热量管理可控

　　这么高的混频器性能几乎总是以牺牲功耗性能为代价实现的。LTC5569的性能已经为更低的3.3V电源电压而进行了优化。采样这样的电源电压，每个混频器都以仅为90mA的DC电流工作，以实现每通道300mW的卓越功耗。如果考虑该器件提供的宽带性能、线性度和信号增益，那么LTC5569在混频器领域是非常出色的。

　　以这样的功耗，一个8通道MIMO接收器可以仅消耗2.4W功率。而可替代的每通道1W的混频器组成同样的接收器总共消耗8W功率，可见LTC5569的总功耗低得多。

　　当在印刷电路板上焊接该双通道混频器时，应该小心，以确保底面裸露的中央焊盘得到完全充分的焊接。这不仅对提供最高效的热量传导很重要，而且对实现最佳的RF信号接地也很有必要。这样能提高RF信噪比性能。

　　LTC5569的封装具有非常低的8°C/W结点至管壳热阻(ΘJC)。在两个通道都工作(总功耗为600mW)、电路板温度为105°C时，该器件的节温仅为110°C，远低于150°C的绝对最大额定值。

　　结论
　　LTC5569双通道混频器在非常宽的带宽范围内提供卓越的性能，同时具有紧凑的占板面积和非常低的功耗。该器件能应对新一代LTEMIMORRU的高要求带来的挑战。