基于PLD的嵌入式系统外存模块设计

周期，延长读、写时间才能满足Hash ROM的要求。在这里只需插入一个等待周期(100ns)便可以满足要求，因此设置芯片配置字节CCR．5=0，CCR．4；0[1]。这样，当READY信号为低电平时便自动插入且仅插入一个等待周期。一个简单的做法就是把Flash ROM的片选信号／CS2连接到READY，这样，当选中Flash ROM芯片时READY信号就跟随／CS2同时变为低电平。按照这样的设想可在EPLD内部重新设置READY信号，描述如下：

ready=!(((a[15．．0]>=H0200)(a [15．．0]：=H1EFF))

#((a[15．．0]>=H2000)(a[15．．0]=H8FFF))#(a[15．．0]= =Address_F_R)

#(a[15．．0]= =Address_F_W)! ALE)

READY信号的产生落后ALE下降沿5ns，造成READY信号产生无效，解决这个问题的唯一方法是提前生成READY信号。实际中有效地址是在ALE下降沿锁存后产生的，这也是READY信号产生表达式中最后一项的来源，但是考虑到地址的产生应该发生在ALE下降沿之前，以保证锁存到正确的地址。因此大胆设想让READY信号的产生不再受ALE的控制，只要总线上产生地址就可以作出判断，从而提前生成READY信号。但这样的做法破坏了同步时序，而且异步生成READY信号容易产生冒险现象。通过分析，可以发现异步生成

READY信号并不会带来任何不稳定因素，因此修改READY信号如下：

ready=!(((a[15..0]>=H0200)(a[15．．0]=H1EFF))

#((a[15．．0]>=H2000)(a[15．．0]=H8FFF))

#(a[15．．0)= =Address_F_R)

#(a[15．．0]= =Address_F_W)

即去掉了对地址有效信号ALE的判断。修改后系统工作稳定、正常。修改后对Hash ROM的读写时序如图7所示，而对RAM读写的时序依旧是图6，目的达到。考虑到插入一个等待周期后大大增加了读写时间，因此将AT29C1024-70JC换成廉价的AT29C1024-12JC(有效数据建立时间为120ns)[3]，系统依然能够稳定工作。通过使用，证明这种存储器设计方案是可行的。