JDM PIC 编程器的制作
时间:05-21
来源:互联网
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,下面我再将我制作中零件的选型和改进要点给大家共享:
- 两个稳压管,上面提到了需要1W的,推荐使用TL431,它的电流可达100mA,更详细的参数和使用方法见它的数据手册。
- 两个三极管,耐压要达到50V以上,电流100mA以上,截止频率大于30MHZ,我使用2SC945代替,只是脚位不一样,安装时需要扭过,或者朋友们也可自己重新画PCB图。
- 场效应管的选择:上面提过要实现VPP BEFORE VDD功能有问题,我在线路板上用了一个IRF9014,FENG3在BBS中推荐使用2SJ377,我装好以后发现无论烧写与否VDD+5不能被完全关断,实际上P沟道的场效应管需要负电压才能导通,我测量TxD端,在不烧写时电压为0V,没有所期望的-15V电压出现,所以那个MOSFET不能被完全关断。好在我烧写的是28PIN的16F7X,此电压只要在烧写时有+3.5——+5V就行了。如果不烧写有内部振荡的MCU,这个管子不接也罢,况且P 沟道的MOSFET又少又贵。在实际使用中我做了如图3的改动:使用NPN的管子,电流大于500mA,耐压大于15V,、我选用8050,这样就没有问题了。如果怕TxD有负电压输出而击穿Q3的BE脚,可以在B极串一个二极管。改进后的电路如图四。
- 电阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜电阻。
- 串口插座为9针母插。
- 其它材料恕不多述。
烧写时芯片的放置见图五:
- 串口线制作方法(12-15)
- 光立方的制作经验杂谈(12-01)
- 热转印法制作PCB个人经验谈(11-30)
- 嵌入式根文件制作方法(11-26)
- 嵌入式linux内核制作方法(11-26)
- 51单片机最小系统制作笔记(11-25)