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Flash编程器的FPGA实现

时间:10-28 来源:互联网 点击:

1 引言

闪速存储器(FLASH Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等许多优点,广泛应用于通讯设备、办公设备、家用电器、医疗设备等领域。利用其保存信息的非易失性和在线更新数据参数的特性,可将其作为具有一定灵活性的只读存储器(ROM)使用。

现在的数字电路应用系统设计中,经常遇到大容量的数据存储问题。Flash由于容量大、存储速度快、体积小、功耗低等诸多优点,而成为应用系统中数据存储器件的首选。由于在研制实时信号处理系统时,需要一块大容量的Flash来存储坐标变换的数据作查找表,因此面临一个如何对Flash进行编程,将数据写入Flash的问题。由于我们选用的Flash芯片为SST39SF010/020,是最新生产的型号,需要自己开发编程器来满足设计需要,达到既经济又实用的目的。这一型号的Flash采用的是标准的5V电压供电,器件在命令控制下自己产生内部的擦除电压Vpp,从而完成数据的写入和芯片的擦除等各种功能。而FPGA这种大规模的可编程器件十分适合逻辑电路的设计,能方便地控制和产生 Flash编程操作中的各种控制命令,实现编程器的功能。

2 Flash的性能参数和操作时序

以最新的Flash芯片型号SST39SF010/020为例,容量为1/2Mbit(×8)。 它的主要性能有:

● 单一的5.0V电压读写操作;

● 高可靠性,超过100年的数据保持能力;

● 快速擦除和字节编程功能

——扇区擦除时间典型值只需7ms;

——片擦除时间典型值只需15ms;

——字节编程需时间典型值只需20微秒;

——片重写时间需3ms(SST39SF010)

● 片内部产生Vpp编程电压,实现自动读写时序;

● I/O兼容TTL;

各引脚功能:

Ams~A0:地址输入 ——提供存储器地址;

DQ7~DQ0:数据输入/输出 ——在读时序时输出数据,在写时序时接收输入的数据;

CE#:片选使能——当CE#为低电平有效;

OE#:输出使能——选通输出缓存器;

WE#:写使能——控制写时序;

VDD:接5V电源;

VSS:接地。

在对Flash进行编程操作前,必须保证存储单元为空。如果不为空,就必须先对Flash芯片进行擦除操作。由于Flash采用了模块分区的阵列结构,使得各个存储模块既可以整个芯片一齐被擦除,还可以使各个存储模块被独立的分别擦除。只需在地址和数据端写入不同的操作命令即可实现不同的擦除操作。

SST39SF010的编程操作分三步骤:第一步是连续载入三字节命令的软件数据保护操作,第二步是写入字节地址和字节数据,在编程操作过程中,地址是在CE#或WE#的下降沿时有效,而数据则是在CE#或WE#的上升沿时有效;第三步是芯片内部的编程操作,该操作在CE#或WE#的第四个上升沿有效,随后该内部编程操作在30微秒内即可完成。
FLASH的编程操作是自动字节操作,编程时要特别注意编程时间参数和使用的命令集。编程和擦除时钟周期的定时参数如表所示。3 FPGA实现Flash编程器的设计

Flash编程器的关键是要保证Flash地址和数据信号在时序上的严格要求,由SST39SF010的编程和擦除周期时序参数得知,它的地址或数据信号的建立和保持时间的最小时钟周期仅为30ns。为此,我们采用了40MHz的晶振作为FPGA的驱动时钟,它的最小时钟周期为25ns,完全可满足最小的时间周期要求。

采用FPGA来实现Flash编程器,主要是如何对Flash进行写操作,利用VHDL语言编写的写操作进程表示如下:


实现一个控制功能,可以用有限状态机实现,也可以用CPU实现,二者相比,前者性能远高于后者。因为,在Von Neumann结构的CPU中,需要许多操作(例如取数和执行)和部件(例如数据通路和ALU寄存器)。而状态机中,状态存储在多个触发器中,表示行为的代码存储在门级网络中。对于通常的一条选择判断语句,如果用CPU实现,一般需要10~20条机器指令,其执行时间与CPU的速度有关。如果由门和触发器实现,则执行时间为一个时钟周期。因此用VHDL实现的状态机的控制性能要优于CPU实现的方案。

如上述程序,在编程器的写操作进程中,我们使用Moore型状态机,它最大的特点是输出仅是状态向量的函数,即Moore状态机的输出仅和当前状态(现态)有关。在寄存器转移级的有限状态机中包括状态进程和组合进程两部分。

状态进程:状态进程对状态机的时钟信号敏感,当时钟发生有效跳变时,状态机的状态发生变化,由次态变为现态。本例中,将写操作分成900个状态,状态0初始化各输出信号,状态1~5执行第一个控制命令,状态7—10执行如第二个控制命令,状态12~15执行第三个控制命令,状态

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