Flash编程器的FPGA实现

1 引言

闪速存储器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等许多优点，广泛应用于通讯设备、办公设备、家用电器、医疗设备等领域。利用其保存信息的非易失性和在线更新数据参数的特性，可将其作为具有一定灵活性的只读存储器（ROM）使用。

现在的数字电路应用系统设计中，经常遇到大容量的数据存储问题。Flash由于容量大、存储速度快、体积小、功耗低等诸多优点，而成为应用系统中数据存储器件的首选。由于在研制实时信号处理系统时，需要一块大容量的Flash来存储坐标变换的数据作查找表，因此面临一个如何对Flash进行编程，将数据写入Flash的问题。由于我们选用的Flash芯片为SST39SF010/020，是最新生产的型号，需要自己开发编程器来满足设计需要，达到既经济又实用的目的。这一型号的Flash采用的是标准的5V电压供电，器件在命令控制下自己产生内部的擦除电压Vpp，从而完成数据的写入和芯片的擦除等各种功能。而FPGA这种大规模的可编程器件十分适合逻辑电路的设计，能方便地控制和产生 Flash编程操作中的各种控制命令，实现编程器的功能。

2 Flash的性能参数和操作时序

以最新的Flash芯片型号SST39SF010/020为例，容量为1/2Mbit（×8）。 它的主要性能有：

● 单一的5.0V电压读写操作；

● 高可靠性，超过100年的数据保持能力；

● 快速擦除和字节编程功能

——扇区擦除时间典型值只需7ms；

——片擦除时间典型值只需15ms；

——字节编程需时间典型值只需20微秒；

——片重写时间需3ms（SST39SF010）

● 片内部产生Vpp编程电压，实现自动读写时序；

● I/O兼容TTL；

各引脚功能：

Ams～A0：地址输入 ——提供存储器地址；

DQ7～DQ0：数据输入/输出 ——在读时序时输出数据，在写时序时接收输入的数据；

CE#：片选使能——当CE#为低电平有效；

OE#：输出使能——选通输出缓存器；

WE#：写使能——控制写时序；

VDD：接5V电源；

VSS：接地。

在对Flash进行编程操作前，必须保证存储单元为空。如果不为空，就必须先对Flash芯片进行擦除操作。由于Flash采用了模块分区的阵列结构，使得各个存储模块既可以整个芯片一齐被擦除，还可以使各个存储模块被独立的分别擦除。只需在地址和数据端写入不同的操作命令即可实现不同的擦除操作。

SST39SF010的编程操作分三步骤：第一步是连续载入三字节命令的软件数据保护操作，第二步是写入字节地址和字节数据，在编程操作过程中，地址是在CE#或WE#的下降沿时有效，而数据则是在CE#或WE#的上升沿时有效；第三步是芯片内部的编程操作，该操作在CE#或WE#的第四个上升沿有效，随后该内部编程操作在30微秒内即可完成。
FLASH的编程操作是自动字节操作，编程时要特别注意编程时间参数和使用的命令集。编程和擦除时钟周期的定时参数如表所示。3 FPGA实现Flash编程器的设计

Flash编程器的关键是要保证Flash地址和数据信号在时序上的严格要求，由SST39SF010的编程和擦除周期时序参数得知，它的地址或数据信号的建立和保持时间的最小时钟周期仅为30ns。为此，我们采用了40MHz的晶振作为FPGA的驱动时钟，它的最小时钟周期为25ns，完全可满足最小的时间周期要求。

采用FPGA来实现Flash编程器，主要是如何对Flash进行写操作，利用VHDL语言编写的写操作进程表示如下：

实现一个控制功能，可以用有限状态机实现，也可以用CPU实现，二者相比，前者性能远高于后者。因为，在Von Neumann结构的CPU中，需要许多操作（例如取数和执行）和部件（例如数据通路和ALU寄存器）。而状态机中，状态存储在多个触发器中，表示行为的代码存储在门级网络中。对于通常的一条选择判断语句，如果用CPU实现，一般需要10～20条机器指令，其执行时间与CPU的速度有关。如果由门和触发器实现，则执行时间为一个时钟周期。因此用VHDL实现的状态机的控制性能要优于CPU实现的方案。

如上述程序，在编程器的写操作进程中，我们使用Moore型状态机，它最大的特点是输出仅是状态向量的函数，即Moore状态机的输出仅和当前状态（现态）有关。在寄存器转移级的有限状态机中包括状态进程和组合进程两部分。

状态进程：状态进程对状态机的时钟信号敏感，当时钟发生有效跳变时，状态机的状态发生变化，由次态变为现态。本例中，将写操作分成900个状态，状态0初始化各输出信号，状态1～5执行第一个控制命令，状态7—10执行如第二个控制命令，状态12～15执行第三个控制命令，状态