TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引

　　Flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍Am29LV200B Flash存储器的烧写方法,实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自举引导。

1 Am29LV200B Flash存储器

1.1 Flash存储器简介

　　Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器,其主要特点有：3 V单电源供电,可使内部产生高电压进行编程和擦除操作;支持JEDEC单电源Flash存储器标准;只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令,具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现,并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成;可以对任一扇区进行读、写或擦除操作,而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射为C5410的片外数据存储空间,地址为：0x8000~0xFFFF,数据总线16位,用于16位方式的并行引导装载。128K的Flash ROM用32K地址分四页进行访问,上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。

1.2 Flash存储器的操作命令

　　向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令,就可对Flash存储器编程,但要按一定的顺序操作,否则就会导致Flash存储器复位。由于编程指令不能使“0”写为“1”,只能使“1”变为“0”,而擦除命令可使“0”变为“1”,所以正确顺序是先擦除,后编程。下面就介绍几个常用的操作命令：编程命令、擦除命令、读数据命令、复位命令。

　　① 编程命令。该命令向Flash的指定地址中写入数据,需要四个总线周期,前两个是解锁周期,第三个是建立编程命令,最后一个周期完成向编程地址中写入编程数据,如表1所列。

表1 编程命令

　　由于向每个编程地址写入数据都需要四个周期,所以在循环写Flash时使用宏比较简单。Flash ROM的首地址为0x8000,故偏移地址0x555对应物理地址就为0x8555。编程程序如下：

_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;单一周期编程的写命
;令宏,pa是编程地址,pd是编程数据
　　PSHM AR1
　　STM pa,AR1 ;AR1指向编程地址
　　LD pd,A
　　STL A,*AR1 ;把编程数据放入AR1的编程地址中
　　RPT #12
　　NOP
　　POPM AR1
　　.endm
_WRITEFlash .macro par,pdr ;编程宏,par是编程地址寄存器,pdr是存放编程数据的寄存器
　　_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解锁）
　　_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解锁）
　　_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3（建立）
　　LD pdr, A ; 周期4（编程）
　　STL A, par ; 把pdr寄存器中数据放入par;寄存器的地址中
　　RPT #12
　　NOP
　　_JUDGE par, pdr ;检测编程是否正确,见Flash;的操作检测
　　.endm
　　_WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏,而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。

　　② 擦除命令。该命令有片擦除和扇区擦除两种,都需要6个总线周期,前两个解锁周期,第三个建立周期,四、五两个解锁周期,最后是片擦除或扇区擦除周期,如表2所列。一旦执行编程或擦除命令后,就启动Flash的内部编程或擦除算法,自动完成编程或擦除操作。擦除程序如下：

表2 擦除命令

_ERASEFlash .macro ;擦除宏
　　_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解锁）
　　_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解锁）
　　_WRITECOMMAND #8555H,#080H ; 周期3（建立）
　　_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期4（解锁）
　　_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期5（解锁）
　　_WRITECOMMAND #8555H,#010H ; 周期6（片擦除）
　　STM #8555H,AR3
　　LD #010H ,A
　　STL A,*AR5
　　_JUDGE *AR3,*AR5 ;检测是擦除结束,见Flash的操作检测
　　.endm

　　③ 读数据命令。上电或内部编程、擦除操作结束后就进入读数据状态,写入要读取的地址即可读出该地址的数据。

　　④ 复位命令。它使存储器复位,进入读数据状态,向任何一个地址写入数据0xF0就能使Flash存储器复位。在进行编程、擦除之前,都应先复位,在编程或擦除等正常操作中出现错误时也要复位。复位程序如下：

_RESETFlash .macro
　　_WRITECOMMAND #8001H,#0F0H;向8001H写入0F0H使Flash复位
　　RPT #12
　　NOP
　　.endm

1.3 Flash的操作检测

Flash内部的编程或擦除算法可自动完成编程或擦除操作,但我们必须了解其内部的操作检测机制,以便知道操作是否完成或正确。常用检测的状态位有：跳变位（DQ6）、超时标志位（DQ5）、数据查询位（DQ7）和Ready/Busy引脚（RY/）。检测的方法有三种。第一种是判断引脚RY/的状态,在编程、擦除或擦除挂起操作过程中,RY/引脚一直为“0”,操作完成后变