探究MPC82XX的UPM方式应用

本操作，同时SJAl000是总线复用器件，待读写数据的地址必须先行给出，还需加上一个写地址的操作，因此可以将微操作定义为三个。不论是数据还是地址，都由MPC82XX的数据总线给出，通过分别使能ALE、RD和WR信号以区分以上三类操作，ALE、RD和WR功能由UPM的GPL信号线来模拟实现。

3 扩展NAND Flash存储器

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。

3.1 硬件连接

该应用中，NAND Flash的读写信号、地址有效信号、命令有效信号均由GPL提供，NAND Flash的Ready／Busyr信号则由MPC82XX的通用I／O引脚读取。

3.2 设计要点

NAND Flash的操作具有以下特点：其一，地址是通过I／0口串行写入的，即一次写入8位或者16位（视具体芯片IO总线宽度而定）；其二，Flash在非空白区写入时需先进行擦除操作，擦除和写入的速度相对于CPU的速度来说是比较长的，因此CPU需等待一个操作完成后才能进行下一步操作；其三，对NAND Flash的读写操作之前必须先写入相应的命令字。

值得注意的是，写入了地址的最后一个字段后不能立即进行数据操作，必须等待几μs的时间，这个等待时间可以通过设置UPM的LOOP和REDO实现。经测试，该方案读数据的速度达到2 MB／s，写数据的速度达到1.5MB／s，可以满足应用需求。

结 语

PowerPC UPM方式配置灵活，适应力强，能有效地减少应用系统软硬件的复杂程度，提高系统可靠性，降低设备的研发成本和制造成本，使得PowerPC更加适合用在空间、成本等方面有诸多限制而接口要求又丰富多样的嵌入式应用系统中。