大容量FLASH在单片机台标系统中的应用

命令集。Intel28F640 FLASH存储器采用了并行编程技术：在28F640的命令集中由于添加了写缓冲区的命令以及相应的32字节硬件写缓冲资源（程序流程图如图2所示），与传统的字／字节编程方式相比（程序流程图如图3所示），写缓冲区方式一次性可写入32字节，在单片机写入确定写缓冲区数据到FLASH的命令D0H后，再由FLASH以并行编程的方式自动写入，中间无需退出写缓冲区命令。而字／字节编程方式每写入一个数据后需要重新写字／字节编程指令。写缓冲区指令的建立以及并行编程算法的采用，使得写入FLASH的速度比原来提高了近20倍。由于写缓冲区一次最多写入32个字节，所以当器件为字节模式写缓冲区时，计数N ＝00H－1FH，当器件为字模式写缓冲区时，计数N＝00H－0FH。为了最大限度地发挥并行编程的功能，降低器件的功耗，在使用写缓冲区命令时一般将 A4－A0的地址线置为0，也就是编程起始地址为×0,0000B。

在台标机系统中，其台标先是在PC机上用Photoshop、3DMAX等图像处理软件做好，然后由PC机传给台标机。为了保证传送速度采用 57600的波特率，这样，传送一副128行*128列大小的台标仅需13秒左右。尽管28F640采用了并行编程技术，但由于波特率太高，数据并不能及时处理，所以在系统中采用了256K空间的SRAM作为缓冲区。台标图像数据首先在SRAM中存储，待台标图像传送结束再由台标机自身将数据由SRAM写进FLASH。对于满屏图像SRAM并不能完全存储，同时FLASH的地址空间对用户来说并不是完全连续的，芯片的第一块的前四个字节和后面块的前三个字节都为芯片自身所占用，所以在传送满屏图像时采用分块传送的方法，每次传送22行数据，其数据量为720列*22行*4=61.875K,4是指每个像素点信息由R、BG、B、透明度4个字节组成。结合前面设置的FLASH的高八位地址寄存器WHDZ，每传一次改变WHDZ的值。对于满屏图像从FLASH 传送到VRAM（视屏存储器）显示满屏图像也采用分块传送的方式，不过此时传送具体数据的方式不同，单片机并不需要将数据从FLASH一个个读出写往 VRAM，它只需将数据的FLASH起始地址，以及VRAM的开始点和终止点坐标给出，数据传送由硬件采用双字传送实现，从而加快了传送的速度。

5 结束语

在本台标机系统中，我们用8M的FLASH存储器存放了10幅像素点128*128的小台标,4幅动画台标,两幅满屏图像,基本上满足了中小型电视台的要求.随着存储器技术的快速发展,各大芯片厂商一定会推出性能价格比更同、速度更快，容量更大的FLASH存储器。

参考文献
1 何立民，单片机应用系统设计，北京：北京航天航空大学出版社，1992
2 http://www.intel.com.intel 28f640jd datasheet.1998