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节电设计中掉电状态MCU的复位唤醒速度

时间:03-21 来源:互联网 点击:

档还声称当采用片外晶振时其DRT的延时值仍为18ms,这显然与本文所测数据相差甚远。

2.结束语

能否以硬件复位对MCU实行快速唤醒是妨碍采用掉电方式进行MCU节电设计的一道门槛,其关键在于MCU掉电时的复位唤醒时间是否可知、是否够快。本文工作就这两点给出了答案。结论是明确的:采用片内振荡器时,掉电状态下的复位唤醒时间小于片内振荡器从起振到稳定的时间(且远小于上电复位时间),采用陶瓷谐振器时,该时间可快至10微秒左右,若想进一步加快则可采用片外时钟方案。

参考文献
[1] MCS 51 MICROCONTROLLER FAMILY USER’S MANUAL。 www6.informatik.tu-muenchen.de/lehre/vorlesungen/script_ez_2000 /intel-mcs51.pdf。1994,2。P.3-26~P.3-29
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[3] 孙涵芳、徐爱卿。MCS-51/96系列单片机原理及应用[M]。北京:北京航空航天大学出版社。1988,2。P.77
[4] 何立民。单片机高级教程:应用与设计[M]。北京:北京航空航天大学出版社。2000,8。P.109

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