抗SEU存储器的FPGA设计实现

时间：09-16 来源：互联网点击：

法来进行电路的有效性验证，所以，在电路设计中，可将模式配置寄存器的其余14位用于注入外部干扰数据，并将其连接到ctrl_err与add_err信号，以用来进行软件故障的注入，模拟SEU对电路的影响。

　　4.4 控制逻辑模块

　　该模块可接收模式选择模块的模式信号mode，以对TMR模块和扩展汉明码模块输出的读写信号和片选信号进行选择，然后输出到RAM芯片的引脚上去，从而实现CPU对RAM的正确访问。尤其是当电路工作于扩展汉明码模式时，还需根据地址信号判断当前对哪个124 Kx (16+8)bit的存储空间片选有效。其具体电路如图5所示。

5 结束语

　　本设计中的抗SEU存储器的设计可通过ACTEL的ProAsic系列A3P400 FPGA实现，并可使用与其配套的Liber08.5 EDA工具进行代码的编辑和原理图的绘制，并进行功能仿真与电路的综合。通过仿真可以看到，本设计可以达到预期的目的，它既可实现存储器的抗SEU设计，又可以满足对存储器使用灵活性的要求，而且具有功能完善、适应性强、电路简单等特点，非常适用于星载RAM的抗辐射电路设计。

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