微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 嵌入式设计 > 非易失闪存技术NAND Flash内存设备的读写控制设计

非易失闪存技术NAND Flash内存设备的读写控制设计

时间:01-18 来源:互联网 点击:

码如下:

static int nand_do_write_ops(struct mtd_info *mtd, loff_t to, struct mtd_oob_ops *ops){

……

if (nand_check_wp(mtd))/*检测,写保护*/

return -EIO;

……

while(1){

……

ret=chip﹥write_page(mtd, chip, wbuf, page, cached,(ops﹥mode==MTD_OOB_RAW));/*写页数据*/

writelen-=bytes;

if (!writelen)

break;

column=0; /*页内地址对齐*/

buf+=bytes;

realpage++; /*页号加1*/

page=realpage chip﹥pagemask;

……

}

……

}

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top