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一种基于MCU的同步Boost的移动电源设计

时间:07-25 来源:互联网 点击:

管输出,因体二极管的压降较大,这会带来功率损耗,但由于MOS管开关时间在几十纳秒以内,因此在整个导通周期内损耗不大。恰当设计ASIC的延时时间,通过ASIC的Option Pin脚使延时时间长度可变,并选择合适的MOS管,即可使DT时间略大于PMOS管的开关时间,保证两个MOS管不会同时导通,并减少开关损耗。

与肖特基二极管相比,由于PMOS的导通电阻低,管压降小,从而提高了效率,理论上肖特基的压降约为0.3V,在5V/1A输出时,肖特基上浪费的功率约为0.3V*1A=0.3w,约为输出功率的6%,这样,若不计MOS管的导通电阻与开关损耗,理论上同步Boost效率比二极管续流高约6%,常用的低压功率NOS管如8205A或P2804NVG在1A电流时导通电阻只有几十毫欧,开关时间只有几十纳秒,所以实测结果显示同步Boost方案的效率提高明显,功率器件发热较低,与理论分析相符。

3.4 竞争力与成本

除了肖特基外,电感,导线,电路板走线都会发热,因此输出电流500mA以上时,二极管Boost的移动电源很难做到90%以上的效率,而同步Boost较容易达到,对于大容量移动电源而言,两种方案因效率产生的电池成本差别非常大,并且同步Boost移动电源本身因发热而产生的温度上升幅度很小,因此,容量越高、电流越大的移动电源,在技术指标、成本和用户体验三个方面,非同步Boost方案越缺乏竞争力。由于不同MOS管的开关导通时间不同,ASIC的延时时间可以通过增加或减少延时门的数量来调节。经测算,在0.5um工艺下,不计Pad时,Layout的面积小于0.4mm^2,成本很低。

4. MCU选型及软件流程说明

使用通用MCU的PWM驱动Boost升压,实现移动电源方案,在MCU选型时,其PWM的输出频率最好在100KHz以上,否则需要很大的电感和滤波电容,MCU应当有8bit以上的AD能力。我们分析过HOLTEK、海尔、义隆、Sonix、芯睿等消费电子常用的MCU资料,均有可以达到这一要求的通用MCU型号。

移动电源软件流程主要包含三部分:主循环,充电管理,放电管理等。我们分别使用过台湾Holtek的HT46R066、海尔的HR6P71、芯睿的MK7A22P三种MCU,实现了由MCU的PWM驱动的移动电源方案,以下流程经实际验证是可行的。

4.1 主循环

外部电源接入时,进行充电管理;外部负载接入时,进行放电管理。按键按下时进行LED电量显示,按键长按时打开手电筒功能。在整个充放电过程中进行温度检测保护,在整个充电过程中保持LED输出。放电时若超过10秒无按键,则进入到低功耗模式,关闭LED。

4.2 充电管理

充电管理主要功能为:当电池电压小于3V时,进行涓流(1/10C)充电;当电池电压在3V-4.2V时进行恒流充电。当电池电压大于4.2V时,进行恒压充电直至充电电流小于1/10C,此刻认为电池充满,用于电量显示的LED全亮。

4.3 放电管理

放电管理主要流程为,产生PWM信号驱动Boost升压,由MCU的AD Pin检测输出电压,当输出电压低于5V或高于时,改变PWM的占空比,控制Boost升压的幅度,实现恒压。通过串联在输出电路上的电阻,检测电阻压降的AD值,改变PWM占空比,实现恒流输出和限流保护。如果MCU的AD位数小于10位,也可采用软件算法限流,实际测试可用,但控制电流的精度较低。

5.结语

相对二极管续流的非同步Boost方案,同步Boost的移动电源具有效率高的突出优点,理论及实测都充分证明这一优点,因此它将会成为消费电子市场中移动电源的主流方案。本文提出了一种IC设计结合通用MCU实现的同步Boost方案,并进行IC设计仿真,达到预期结果。与专用IC相比,可充分利有现有MCU资源,方案选择灵活、成本也具有竞争力,相信这种形式的方案将在市场占有其一席之地。

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