STM32学习笔记-Flash作为存储器储存数据

虑其他功能，只是简单的读写操作。

其中写操作如下：

FLASH_Unlock(); //解锁FLASH编程擦除控制器

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位

/*********************************************************************************

// FLASH_FLAG_BSY FLASH忙标志位

// FLASH_FLAG_EOP FLASH操作结束标志位

// FLASH_FLAG_PGERR FLASH编写错误标志位

// FLASH_FLAG_WRPRTERR FLASH页面写保护错误标净

**********************************************************************************/

FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR); //擦除指定地址页

FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位

FLASH_Lock(); //锁定FLASH编程擦除控制器

从上面可以看出基本顺序是：解锁-》清除标志位(可以不要)-》擦除-》写半字-》清楚标志位(也可以不要)-》上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址，2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节(半字)，虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。

读操作如下：

u16 value;

value = *(u16*)(FLASH_START_ADDR+(addr*2));//从指定页的addr地址开始读