步进电机的MOSFET管驱动设计

通时，该快恢复二极管关断，VT2 的漏源电压迅速上升，直至接近于正电源的电压+VS，这意味着VT2漏源间要承受很高且边沿很陡的上升电压，该上升电压反向加在VT2管内的快恢复二极管两端，会使快恢复二极管出现恢复效应，即有一个很大的电流流过加有反向电压的快恢复二极管。为了抑制VT2管内的快恢复二极管出现这种反向恢复效应，在图 2电路中接人了VD11，VD12，VD13，VD14。其中，反并联快恢复二极管VD11，VD14的作用是为电机AB相绕组提供续流通路，VD12，VD13是为了使功率MOSFET管VT1，VT2内部的快恢复二极管不流过反向电流，以保证VT1，VT2在动态工作时能起正常的开关作用。VD19，VD20，VD21，VD22的作用亦是同样的道理。

对图2电路的分析可知，信号a=1，b=1的情况是不允许存在的，否则将因同时导通从而使电源直接连到地造成功率管的损坏;另外，根据步进电机运行脉冲分配的要求，VT1，VT2，VT3，VT4经常处于交替工作状态，由于晶体管的关断过程中有一段存储时间和电流下降时间，总称关断时间，在这段时间内，晶体管并没完全关断。若在此期间，另一个晶体管导通，则造成上、下两管直通而使电源短路，烧坏晶体管或其他元器件。为了避免这种情况，可采取另加逻辑延时电路，以使H桥电路上、下两管交替导通时可产生一个“死区时间”，先关后开，防止上、下两管直通现象。

结论

本驱动器电源驱动部分线路简单，通过对电流前后沿的合理设计，降低了开关损耗，改善了电机的高频特性，并具有多种保护功能，实际使用中效果良好。