流程改进提高效率IGBT为电机驱动应用
时间:09-12
来源:互联网
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通过控制两个场阑和p +集电极层中的载流子浓度能够提高背面结的发射极效率。其结果是,场站提供具有低VCE的设备上更快的转换(饱和)成为可能,更薄的晶片。
场终止技术已经使得它更容易集成需要许多电路与IGBT本身的续流二极管。例子倒在TRENCHSTOP家庭英飞凌科技设备。许多家庭成员的形成二极管作为核心IGBT元件的一部分,通过该装置使反向电流导通。他人提供的应用,如电机控制由封装内集成二极管优化二极管技术,如IKD06N60RF,它支持的开关速度为电机控制多达30千赫。
IGBT的对TRENCHSTOP进程英飞凌演变形象
![1.jpg](../img/eep/emb/emb-49064fl2wnwse413.jpg)
图1:IGBT的对TRENCHSTOP进程英飞凌的演变。
IXYS已开发多个系列的场站体系,最终在第3代和GEN4家庭。该GEN4架构将沟槽拓扑与“极端光穿通”的第3代的(XPT)场站设计,支持低通态电压和快速关断的组合,以最大限度地降低开关损耗。
这些装置显示出正方形反向偏置安全工作区(RBSOA)形状高达650伏的击穿电压和标称电流的两倍,在高温下,相适应他们无缓冲器硬开关应用。该设备可以被共打包带反并联二极管,设有只要10微秒,在150℃下的高温短路坚固性。
经典与IXYS XPT架构之间的差异图片
![2.jpg](../img/eep/emb/emb-49065fbimipvhwnl.jpg)
图2:经典IXYS XPT架构之间的差异。
在设备施工,如晶圆减薄和改善兴奋剂控制和器件结构的进一步发展可能会增加IGBT的性能,提供了功率MOSFET与激烈的竞争在高效电机驱动应用,特别是在成本是一个重要的考虑因素。
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