流程改进提高效率IGBT为电机驱动应用

通过控制两个场阑和p +集电极层中的载流子浓度能够提高背面结的发射极效率。其结果是，场站提供具有低VCE的设备上更快的转换(饱和)成为可能，更薄的晶片。

场终止技术已经使得它更容易集成需要许多电路与IGBT本身的续流二极管。例子倒在TRENCHSTOP家庭英飞凌科技设备。许多家庭成员的形成二极管作为核心IGBT元件的一部分，通过该装置使反向电流导通。他人提供的应用，如电机控制由封装内集成二极管优化二极管技术，如IKD06N60RF，它支持的开关速度为电机控制多达30千赫。

IGBT的对TRENCHSTOP进程英飞凌演变形象

图1：IGBT的对TRENCHSTOP进程英飞凌的演变。

IXYS已开发多个系列的场站体系，最终在第3代和GEN4家庭。该GEN4架构将沟槽拓扑与“极端光穿通”的第3代的(XPT)场站设计，支持低通态电压和快速关断的组合，以最大限度地降低开关损耗。

这些装置显示出正方形反向偏置安全工作区(RBSOA)形状高达650伏的击穿电压和标称电流的两倍，在高温下，相适应他们无缓冲器硬开关应用。该设备可以被共打包带反并联二极管，设有只要10微秒，在150℃下的高温短路坚固性。

经典与IXYS XPT架构之间的差异图片

图2：经典IXYS XPT架构之间的差异。

在设备施工，如晶圆减薄和改善兴奋剂控制和器件结构的进一步发展可能会增加IGBT的性能，提供了功率MOSFET与激烈的竞争在高效电机驱动应用，特别是在成本是一个重要的考虑因素。